反擊，臺積電正式控告格芯，并尋求實質性的損害賠償

臺積電已在美國、德國及新加坡分別對格芯提出訴訟，控告格芯侵犯其25項專利。

針對此前美國芯片制造商格芯控告臺積電專利侵權一事，臺積電正式發布公告稱，已就此事展開反擊，在美國、德國及新加坡分別對格芯提出訴訟，控告格芯侵犯了臺積電25項專利。

除此之外，臺積電還提出法院應核發禁制令，禁止格芯生產及銷售侵權的半導體產品，并對該公司尋求實質性的損害賠償。

據了解，臺積電所提及的25項專利，其中涉及40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等芯片制程等多項技術，如FinFET設計、淺溝槽隔離技術、雙重曝光方法、先進密封環與門極結構，以及創新的接觸蝕刻停止層設計，而這些技術都是當前全球領先的半導體制程中的核心技術。

臺積電副總經理暨法務長方淑華表示，“此次提出法律訴訟是為了保護臺積電的聲譽、我們的客戶和全球消費者，以確保先進半導體技術能夠更好的應用于智能手機、5G、人工智能、物聯網等領域及產品中，對保護公共利益極為重要。”

格芯是全球第三大晶圓代工廠，前不久，該公司在美國及德國法院控告臺積電及其客戶侵犯其16項專利技術，美國國際貿易委員也因此對臺積電展開了調查。針對這一調查，臺積電方面曾強調稱，“格芯指控侵權毫無根據，且對這種不以技術做為競爭手段，而是訴諸毫無根據的法律訴訟的行為感到失望。”

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