三步走！俄羅斯也要造EUV光刻機

近日，俄羅斯科學院微結構物理研究所披露了國產極紫外（EUV）光刻設備的長期研發路線圖。 按照路線圖，整個研發計劃將分為...

近日，俄羅斯科學院微結構物理研究所披露了國產極紫外（EUV）光刻設備的長期研發路線圖。

按照路線圖，整個研發計劃將分為三個循序漸進的階段：

第一階段（2026-2028年）研發可支持 40 nm制程的光刻機，配備雙反射鏡物鏡系統，套刻精度達10nm，曝光區域覆蓋3×3毫米，每小時可處理5片以上晶圓；

第二階段（2029-2032年）計劃推出可支持 28 nm制程（兼容14nm），采用四反射鏡光學模組，套刻精度提升至5nm，曝光區域擴展至26×0.5毫米，產能提高到每小時50片；

第三階段（2033-2036）將實現亞10nm（sub-10nm）工藝，運用六反射鏡高精度光學系統，套刻精度控制在2nm以內，曝光區域達到26×2毫米，產能突破每小時100片。

整個技術路徑覆蓋65nm至9nm的寬泛制程需求，單位成本預計比ASML的Twinscan系列低30%以上。

和目前我們熟知的EUV光刻機不同，俄羅斯擬研發的EUV系統并未復刻ASML設備的架構，而是計劃采用一整套完全不同的技術方案。

據報道，俄羅斯團隊選擇混合固態激光器、基于氙氣等離子體的光源，以及由釕和鈹（Ru/Be）制成的反射鏡，這類反射鏡可反射 11.2nm波長的光線，而當前全球 EUV 光刻的行業標準波長為 13.5 nm，11.2 nm屬于非標準波長范疇。

此外，與 ASML EUV光刻機使用錫液滴作為光源靶材不同，俄羅斯的方案選用氙氣作為光源材料，可消除損害光掩模的碎屑，從而大幅降低設備維護需求。同時，相較于 ASML DUV光刻機需依賴高壓浸沒式液體與多重曝光技術實現先進制程，該方案通過降低系統復雜度，有效規避了ASML設備因使用錫材料產生的微粒污染問題，顯著降低光掩模維護頻率。同時通過簡化光學結構，省去了高壓浸沒液和多重圖形化工藝，使得整體系統復雜度大幅下降。

盡管俄羅斯的技術方案具有差異化優勢，但項目面臨多重技術挑戰。

首先就是11.2nm波長并非國際半導體行業協會（SEMI）認定的標準EUV波長，這意味著從光源系統到反射鏡鍍膜都需要自主研發。特別是釕鈹反射鏡的制造工藝、適配的光學組件以及專用光刻膠的開發，均存在較高技術壁壘。

此外，該波長光源的能量利用率和穩定性尚未得到行業驗證，可能影響實際生產效率。

從市場定位來看，俄羅斯此次技術攻關并非瞄準臺積電、三星等頭部廠商的尖端工藝競爭，而是聚焦中小型晶圓廠需求——通過規避浸沒式光刻和多重曝光等復雜環節，其設備在潔凈度、維護成本和操作門檻方面具有顯著優勢。這種策略或將開辟新的細分市場，吸引那些被ASML生態圈排斥的新興半導體企業。

若技術研發順利，俄羅斯有望憑借低成本、高性價比的EUV解決方案，在全球芯片供應鏈中占據獨特地位。

總體而言，這份路線圖展現了俄羅斯突破西方技術封鎖的戰略意圖。盡管技術方案存在諸多不確定性，但其創新思維為半導體設備國產化提供了新思路。隨著全球芯片產業鏈重構加速，這種差異化競爭策略或將在未來引發行業格局的深層變革。

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