下一代HBM，SK海力士再贏一局

有大佬撐腰，海力士又穩了？

本周，韓國媒體The Elec的一份最新報告顯示，三星下一款HBM產品已經準備就緒，按計劃將在將于2025年底量產。

報告稱，三星將在年底前進行HBM4的流片，按照流片與試產產品之間的時間間隔計算，新產品最早將會在2025 年初發布并進一步改進，直到將樣品發送給主要客戶。

在HBM3時代，因為缺少重視加之良率低等問題，三星的HBM產品遲遲未能進入英偉達供應鏈，這導致三星在AI 芯片競爭中面臨著越來越大的壓力。

因此，開發落后的三星希望以資金為“武器”嘗試逆襲，希望在HBM4這一代縮小差距。

但據今天爆出的最新消息，三星在存儲領域的競爭對手SK海力士將與臺積電、英偉達展開深度合作，這一合作計劃預計將在9月的中國臺灣國際半導體展（Semicon Taiwan）上正式宣布，屆時SK海力士社長金柱善將發表專題演講。

據悉，三方合作的目標是在2026年實現HBM4的量產，將采用臺積電的12FFC+（12 納米級）和 N5（5 納米級）工藝技術制造HBM4的基礎，從而實現更微小的互連間距，提高 HBM4 的性能和能效。

從時間節點來看，三星量產時間是要早于SK海力士，但后者作為目前 英偉達HBM內存的獨家供應商，已經就具備先發優勢，如今再與臺積電強強聯手，在良品率上也無需擔憂。

按照計劃，英偉達將在2026年推出下一代Rubin，2027年推出Rubin Ultra。

Rubin平臺的亮點在于其集成了多項前沿技術。首先，它搭載了全新的GPU，其次，Rubin還整合了基于Arm架構的新CPU—Vera，這標志著英偉達在中央處理器領域的進一步拓展。

此外，Rubin平臺采用多項網絡技術，并融合了InfiniBand/以太網交換機，從而構建了一個高級的網絡平臺，旨在為用戶提供更高效、更穩定的數據傳輸能力。到那時，全新的超級芯片將全面取代目前的Grace Hopper。

與Blackwell平臺相比，新平臺將首次引入8層HBM4，而Rubin Ultra將進一步支持12層HBM4，但這一切前提都是需要緊跟SK海力士的節奏。

如今，HBM內存已成為當前AI加速器的生產瓶頸， 而SK海力士的訂單更是排滿至明年。但從目前多方給出的信號來看，在海力士優勢明顯的背景下，英偉達并不會輕易將HBM訂單讓給三星，反倒是HBM的另一位競爭者美光，會在SK海力士產能不足情況下在未來有望承接英偉達更多訂單。

不過在Rubin平臺真正推出之前，三星還是有機會靠著“混合鍵合技術”扳回一城。

針對HBM4產品，目前有兩種主流的結合方式：一個是現有成熟的“MR-MUF”（大規?；亓?成部填充）先進封裝工藝，另一個是三星主推的混合鍵合技術。

簡單來說，HBM靠的是DRAM 模塊之間使用一種稱為“微凸塊”的材料進行連接。然而通過混合鍵合，芯片可以在沒有凸塊的情況下連接，從而減小芯片的厚度。

需要注意的是，國際半導體標準化組織（JEDEC）已經將HBM4的厚度標準從上一代的720微米放寬至775微米，這就意味著在未來一段時間內，MR-MUF仍然可以用來制造HBM4，而三星想借助混合鍵合追趕SK海力士的想法也變得更加困難，畢竟SK海力士也會加快混合鍵合技術的開發速度以應對來自三星的追趕。

就目前來看，三星似乎已經是痛定思痛將在下一代HBM上搶奪回市場上的主動權，但在缺少訂單和良率的前提下，英偉達還是會優先采用更加成熟的方案作為過渡。

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