三星3nm GAA 工藝成功流片，性能提高約30％

在與臺積電的3nm工藝競爭中，三星已經搶先一步。

據外媒報道，三星已經成功流片3nm GAA芯片，這讓三星離真正實現3nm芯片量產更近一步。

當下，芯片封裝最先進的工藝是5nm，同時3nm工藝也正處在技術攻堅階段。此前臺積電曾表示，自家3nm工藝明年就能量產。不過臺積電的3nm工藝依然選擇了傳統的FinFET 晶體管技術，而三星押注了更加激進的GAA技術。

三星采用的下一代工藝技術——GAA全稱為環繞柵極晶體管。通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋 - 通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要用來取代FinFET晶體管技術。

早在2019年，三星就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準，這一次 3nm芯片流片也是同Synopsys合作完成，雙方聯合驗證了該工藝的設計、生產流程。

根據三星的說法，與5nm制造工藝相比， 3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了 35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

不過此次三星、 Synopsys 并沒有透露這次驗證的 3nm GAA 芯片的詳情，官方只說GAA架構改進了靜電特性，提高了性能，降低了功耗。網絡上也對三星3nm GAA工藝保持著觀望態度。

三星3nm GAA芯片的流片意味著三星在3nm工藝競爭中搶先一步。但最終的進度依然不好說，只有真正完成量產才能在搶占客戶上搶占先進。目前來看，臺積電3nm工藝更加成熟。

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