臺積電2nm工藝實現突破，預計2023年投入試產

臺積電在新工藝上花費的成本將成為天文數字。

這幾年，臺積電在最新制程工藝上一直遙遙領先其競爭對手。根據最新報道顯示，臺積電目前在2nm工藝上取得了一項重大技術突破，盡管該技術并未對外披露細節，但有關人士預計，臺積電2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產，并在2024年進入量產階段。

臺積電表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續摩爾定律，繼續挺進1nm工藝的研發。目前臺積電在5nm工藝上遙遙領先競爭對手，而3nm工藝已預計于近日開始生產。按計劃，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。

2nm工藝上，臺積電將放棄延續多年的FinFET(鰭式場效應晶體管)，甚至不使用三星規劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)，也就是納米線(nanowire)，而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。該技術能夠大大改進電路控制，降低漏電率。

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