毫米波能效再度加強，美加州大學研發出芯片發光器

芯片發光器的能效打破了現有紀錄，比同類裝置高出一個數量級，同時具有較強的抗干擾能力。

近日，美國加州大學歐文分校在其官方網站上發布公告稱，該校的研究人員成功研制出一種硅基微芯片發光器，其發射的G波段（110千兆赫到300千兆赫）毫米波信號創強度紀錄。值得注意的是，該技術預計將在5G無線通信領域展現關鍵應用。

據悉，G波段的頻率光譜更易穿透人體等物體表面，這將有效提高醫學和安檢領域掃描和成像裝置的分辨率。經實驗室測試表明，芯片發光器的能效不僅打破了現有紀錄，比同類裝置高出一個數量級，同時還具有較強的抗干擾能力。

本周將舉行的美國電氣和電子工程師協會（IEEE）固態電路國際會議上，該校領導這項研究的電子工程和計算機科學教授帕亞姆·海德瑞，將會詳細介紹這一最新研究成果。

通過查看相關資料，可以看出該硅基微芯片發光器在設計上有兩個創新之處：

一是將三種重要功能集成到一個裝置內，即收集多個放大器的能量、將信號調到預設頻率、發出可用于檢測或通訊的信號，舍棄了傳統發光裝置內低效級間系統，大大提高了能量輸出強度；

二是發光器內半導體芯片被設計成八角形，特有的空腔結構使其能發出圓極性信號，以微型自旋風形式呈現，這種形狀的光束能穿透固體并提供清晰度極高的詳細內部圖像。而現有大多數發光裝置只能產生線性極性信號，容易造成偏振而使信號減弱。

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