復旦開創第三類存儲技術，寫入速度比U盤快1萬倍

第三類存儲技術，不僅可以實現“內存級”的數據讀寫速度，還可以按需定制存儲器的數據存儲周期。

近日，復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，開創了第三類存儲技術，寫入速度比目前U盤快一萬倍，數據存儲時間也可自行決定。

據張衛介紹，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，如計算機內存，數據寫入僅需幾納秒左右，但斷電后數據會立即消失；第二類是非易失性存儲，如U盤，數據寫入需要幾微秒到幾十微秒，但無需額外能量可保存10年左右。

為了研發出兩種性能可兼得的新型電荷存儲技術，該團隊創新性地選擇了多重二維半導體材料，堆疊構成了半浮柵結構晶體管：二氧化鉬和二硒化鎢像是一道隨手可關的門，電子易進難出，用于控制電荷輸送；氮化硼作為絕緣層，像是一面密不透風的墻，使得電子難以進出；而二硫化鉿作為存儲層，用以保存數據。周鵬說，只要調節“門”和“墻”的比例，就可以實現對“寫入速度”和“非易失性”的調控。

此次研發的第三代電荷存儲技術，寫入速度比目前U盤快1萬倍，數據刷新時間是內存技術的156倍，并且擁有卓越的調控性，可以實現按需“裁剪”數據10秒至10年的保存周期。這種全新特性不僅可以極大降低高速內存的存儲功耗，同時還可以實現數據有效期截止后自然消失，在特殊應用場景解決了保密性和傳輸的矛盾。

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