臺積電確認3nm以及4nm工藝正在研發：性能提升15%、2022年量產

此外，5nm以及6nm正在大規模量產。

昨日，臺積電舉辦了第26屆技術研討會，并披露旗下最新工藝制程信息。

在會上，臺積電公布了目前最先進的3nm以及4nm，其中3nm是5nm的更新迭代，而4nm是5nm的改良版本。臺積電也宣布了5nm以及6nm正在大規模量產。

5nm作為目前最先進的制程，將被應用在蘋果A14、華為麒麟9000、高通驍龍875以及聯發科天璣2000上。目前量產中5nm（N5）引進了EUV（極紫外光刻）技術，并且將在明年推出基于N5的增強版——N5P，性能將進一步提升。

而相較于5nm，新一代的3nm功耗將減少25~30%、性能提升10~15%。而作為5nm升級版的4nm（N4）將在明年晚些時候風險試產，最快于2022年量產。如果一切順利，臺積電的N5用戶將順利過渡到N4。

除臺積電外，三星希望在明年就推出3nm產品。在核心技術方面，三星的3nm將改用Gate-All-Around（GAA，環繞柵極晶體管），臺積電則是堅持使用FinFET（鰭式場效應晶體管）。

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