“危機”的韓國半導體,終于迎來曙光
……了嗎?
當地時間10月9日,韓國總統辦公室通報,美國商務部已經同意向三星電子和SK海力士位于中國的晶圓廠提供“無限期豁免”,即美國供應商無需任何許可,就可向三星和SK在中國的晶圓廠供應半導體設備。
這無疑是給韓國企業半導體業務在華市場續了一口氣,堪稱“雪中送炭”。
隨著此次兩家企業在華工廠成功獲得“無限期豁免”,也意味著未來三星、SK海力士在華工廠將可以繼續升級和擴產,原有的不確定性被大大消除。
有相關業內人士表示,此舉勢必會讓三星和SK海力士加大產能,而為了重新搶奪市場,雙方可能會進一步在中國市場開打價格戰。
然而,分析目前半導體行業,尤其是兩家都有的存儲芯片業務的現狀,不難發現,這個“炭”“送”晚了。
存儲市場長期大跌,明年還將供應短缺
存儲芯片歷來是韓國半導體產業的支柱,三星和SK海力士兩家都是存儲業巨頭,其中三星電子在DRAM和NAND領域的市占率都位居第一,SK海力士在DRAM領域排名第二,在NAND領域排名第三。
(圖源:SK海力士)
根據世界半導體市場統計(WSTS),2022年全球存儲器市場規模為1298億美元,其中DRAM占778億美元,NAND Flash占471億美元。作為行業的龍頭,說這兩家分走了其中絕大部分也不為過。
DRAM和NAND閃存的主要應用場景都是PC、智能手機和數據中心,用戶非常相似。而因為“硅周期”的行業下行趨勢,加之國內廠商的快速擴產替代(后面會提到)。上述這些市場的需求持續萎縮,截至目前,存儲市場下行周期已經連跌8個季度,接近存儲市場下行周期歷史最長時間。
兩家韓國企業的日子自然也不好過。
根據數據顯示,2023年前兩個月,三星的存儲芯片業務就已經虧損了3萬億韓元,約合23億美元。對三星來說,還不算傷筋動骨,畢竟有半導體代工等一系列其他業務。
但“只把雞蛋放在一個籃子里”的SK海力士就相對難受了。雖然由于HBM3產品在人工智能加速卡領域吃下了過半份額,但整體存儲芯片業務的虧損可謂巨大。
(圖源:SK海力士)
根據7月底SK海力士公布的2023年Q2財報顯示,第二季度營收為7.3059萬億韓元,同比下滑47%;營業虧損額達2.8821萬億韓元,雖然已經比上一季度好了15%,但同比依舊是虧;凈虧損額達2.9879萬億韓元,環比下滑16%。
伴隨虧損而來的,是各家的大幅減產。
SK海力士財報顯示,自2023上半年以來,多數存儲芯片制造商都已經相繼減產,以求盡快去庫存?,F階段,NAND Flash的庫存去化速度相比DRAM更慢,因此SK海力士還會擴大對于NAND Flash的減產幅度。
三星這邊則啟動了2024年大規模半導體需求調查,分析了主要客戶的存儲庫存現狀。三星特別工作組將根據調查結果決定是否繼續減產,在調查后表示,預計從Q4開始,市場供需就會改善,明年可能出現供應短缺,價格上漲。
美國出口限制“誤傷”韓國半導體
美國近年持續限制國內半導體產業發展,先是收緊芯片貿易政策,又提出了設備出口限制等等。
而一系列限制舉措之下,反而傷到了日韓半導體產業。
早在2005年,SK海力士DRAM產線就落戶無錫,此后多輪增資,累計投資額超200億美元。據市場調研機構TrendForce集邦咨詢2022年的報告,該工廠產能約占全球DRAM總產能的13%;SK海力士在2020年還購得了英特爾包括大連工廠在內的NAND業務,并將于2025年完成全部交割,該廠產能約占全球NAND總產能的9%。
而三星則選擇了西安,一期二期工廠項目自2012年開始建設,累計投入近260億美元。據悉,西安工廠在三星全球NAND總產能中占比約四成,約占全球NAND總產能的17%。
在供給限制下的工廠產能降低,不僅讓兩家公司的產品技術優勢縮小,還損失了在華的龐大市場和利潤。
另一方面,國內廠商的國產替代方案正在加速落地。
此前,國外行業研究機構yolegroup對長江存儲的232層閃存顆粒進行了拆解分析。他們發現,長江存儲的顆粒采用了雙層設計,即通過Xtacking技術,將雙層晶圓疊放在一起。這樣做雖然有良率低、成本高的問題,但卻繞過了對被限制的先進工藝、工具的依賴。
(圖源:yolegroup)
這種以“過時的”工藝技術實現另辟蹊徑方案的邏輯,被yolegroup譽為“意想不到的技術突破”。
在這樣的突破之下,一味封鎖自然意義不大。因而才有了開頭提到的“無限期豁免”。只是在國產替代已經成型的現在,這塊“炭”送得還是有些晚了。
寫在最后
存儲芯片行業素來有一個有趣的梗:每當出現產能過剩,存儲產品價格下降的趨勢時,各家廠商總會出現“產線停電”、“工廠失火”這樣的意外情況,從而“被迫減產”。
(圖源:快科技)
但自打國產品牌的存儲、主控芯片推出以來,就很少再出現類似的新聞了。長江存儲因而被賦予了“長江消防”的美稱。
本文作者:Visssom,觀點僅代表個人,題圖源:pixabay
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