臺積電發布基于7nm工藝自研小芯片This，主頻高達4.2GHz

這款芯片是為高性能計算平臺而設計的。

一直以來，7nm對臺積電來說都是意義重大，因這一工藝水平不僅是它遠遠將競爭者遠遠甩在身后的關鍵點，也一度讓其賺得盆滿缽滿。為了延續這樣的優勢，臺積電最近宣布了基于7nm工藝的芯片成果，以表達其對于芯片設計封裝的新想法。

據悉，在VLSI Symposium（超大規模集成電路研討會）期間，臺積電展示了自己設計的一顆小芯片（chiplet）This，以展現其用先進互連和封裝技術對當下超大規模芯片功耗和性能挑戰的優化。

該芯片采用了一種雙芯片設計，這種技術可以通過添加額外的PHY來進行擴展，芯片不同單元間以及不同芯片之間可以形成互聯。每個小芯片具有15個金屬層，模具本身僅為4.4毫米×6.2毫米（27.28mm）。除了雙芯片結構，在基本參數上，This還采用7nm工藝和CoWos（晶圓基底封裝，用于內建Cortex A72核心和6MiB三緩）。

臺積電采用的是Arm Cortex-A72內核，針對turbo頻率大于4GHz電壓操作特性，它為其配備了高性能單元（7.5T，3p + 3n）并定制設計1級高速緩存單元，這一模塊有兩個L2緩存塊，每個1MiB，這些是使用它們的高電流位單元實現的，并以半速運行。此外，還有一個大型的6MiB L3緩存，使用高密度位單元實現，并以四分之一速度運行。

數據顯示，在兩倍的時鐘速度下，芯片物理層運算速度為8GT/s。在互連寬度（ interconnect width）為320位時，兩個裸片之間的總帶寬為320 GB / s。在40μm的bump pitch 下，這實際上是我們在最近的芯片設計中看到的最激進的間距之一，它還可以達到1.6 Tb / s /mm²的數據通量。在1.20的電壓下，Cortex內核可以達到4GHz，實測最高達到了4.2GHz（1.375V）。

臺積電稱，這款芯片是為高性能計算平臺設計。綜合來看，其性能還是十分喜人的。

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