手機容量達TB不是夢？鎂光發布全球首款3D閃存芯片

3D閃存技術并不罕見，但現在鎂光第一次把它帶進了移動設備領域。

總有一天，智能手機的內存容量終將達到現在PC的水平。

近日在美國加州圣克拉拉舉行的閃存峰會（Flash Memory Summit）上，全球最大半導體儲存及影像產品制造商之一的鎂光（Micron）正式公布了第一款3D-NAND閃存芯片。

目前市面上普遍使用的手機芯片為2D-NAND，而鎂光所發布的這種3D-NAND閃存芯片相比于前者擁有更大的存儲密度，換句話說，就是在體積相同的情況下擁有了更大的存儲空間。

除了存儲空間變大以外，3D-NAND的存儲單元排列方式也發生了變化。3D-NAND采用垂直的方式立體排布存儲單元，而2D-NAND則采用了水平式排布存儲單元，因此鎂光所發布的這款3D-NAND閃存芯片在通訊速度上也得到了提升。

據悉鎂光這款3D閃存芯片的容量為32GB，是全球首個基于UFS2.1存儲標準的手機3D-NAND解決方案。 而這種新的UFS2.1存儲技術其實就是HS-G3，其讀取速度有1.5GB/s，寫入速度接近500MB/s，為目前UFS 2.0標準的2倍，但目前市面上還沒有智能手機采用這種存儲技術標準。

鎂光表示，隨著VR和流媒體視頻的興起，未來用戶對于智能手機的內部存儲容量的需求將會逐步擴大在未來幾年時間里，智能手機的內存空間將達到如今PC的水平，并有望在2020年達到1TB，不過他們并未展示出其芯片產品未來的存儲容量發展路線圖。

據悉鎂光這款存儲容量為32GB的3D-NAND芯片將在明年下半年開始出貨。

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