臺積電宣布設12英寸南京廠，三年后量產16nm

2018年量產目前最先進的16nm，誠意夠嗎？

據臺媒報道，臺積電將在江蘇省南京市設立12寸晶圓廠與設計服務中心，預計投資總額將達到30億美元。目前，臺積電已正式向臺灣“投審會”遞件申請赴大陸設廠。與此同時，臺灣經濟部投審會也表示，臺積電文件補齊后，政府會在兩個月內核準該建廠計劃。

據悉，此座晶圓廠規劃的月產能為2萬片12寸晶圓，預計于2018年下半年量產16nm制程，后續產能將會擴到4萬片。不過，細心的讀者會發現雖然16nm目前屬于最先進的工藝之一。但是等到該廠建成并量產已經是三年后，屆時臺積電的10nm甚至是7nm都已問世，為什么只提到16nm呢？

這與臺灣的政策有關。事實上，很早就有臺積電計劃在大陸建立一座12英寸晶圓廠的傳言。不過當時受限于臺灣政府只允許半導體“參股”和“并購”的法規，此計劃一直沒有落實。今年8月份雖然“獨資”登陸政策松綁，但臺灣當局也設下不從臺灣搬錢、技術落后臺灣一個世代以上、臺灣不得裁員、對臺灣也要有相應投資等四大防護網，破除外界“掏空臺灣”的疑慮。

也就是說，雖然臺灣政府放寬了12英寸臺廠進入大陸的條件，但是前提是大陸新設的工廠須與臺灣至少保持“N-1”代的技術落差，臺積電的“N－2”策略處于安全區。

臺積電難道不擔心16nm會失去競爭力嗎？臺積電規劃以“N－2”代的工藝來建廠不無道理。目前中國大陸本土的晶圓廠進度的確落后于臺灣，比如中芯國際可能在2018年剛剛量產14nm FinFET，臺積電南京廠依然在大陸有一定的優勢。

顯然，大陸想要在半導體制造業處于領先地位必須自己奮起直追。

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