三星出絕招，10nm FinFET工藝的SRAM拯救你的手機

是不是手機卡得想扔掉它？別急，三星來幫你。

如今智能手機大行其道，大和薄已經成了最大的流行趨勢，同時配置方面也在進一步提升。但是也出現了很多問題，首當其沖的就是APP越做越大，視頻圖片需更大的存儲空間，緩存也是越來越多。不管原本手機配置有多高，內存有多大，時間一久就會越來越卡。我們只能不斷地更換手機，購買更大配置的機型，才能滿足我們日益增長的內存需要。

為了解決此類問題，各大科技公司也在積極進行相關產品的研發。其中比較受關注的就是SRAM（靜態隨機存取存儲器）大多用于機器的緩存。目前有消息稱，三星已經研發出了世界上第一顆基于10nm FinFET工藝的SRAM，若此舉成功應用，將比之前14nm的面積減少30%左右。它可更進一步降低CPU的功耗、緩減散熱問題，更小的體積裝進更大的緩存，總體大步提升CPU性能。將手機做到更薄、更大、更好用，這才是王道！

其實市面上各家企業都有相關方面的科研成果，IBM半導體聯盟在今年7月就已制造出了世界首個10nm的晶圓。但是由于技術問題，具體投入生產，應用到市場上至少需要等到2018年；Intel的10nm也推遲到了2017年，臺積電也曾預測將在2017年第一季度向市場批量生產10nm CPU。而最早可以大規模使用的則是三星，預計最快在2016年底就可以上市，說不定就是Galaxy S8的首發技能。

急性子的你是不是早迫不及待地想扔了你那“老古董”？

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