近日,俄羅斯科學院微結構物理研究所披露了國產極紫外(EUV)光刻設備的長期研發路線圖。
按照路線圖,整個研發計劃將分為三個循序漸進的階段:
第一階段(2026-2028年)研發可支持 40 nm制程的光刻機,配備雙反射鏡物鏡系統,套刻精度達10nm,曝光區域覆蓋3×3毫米,每小時可處理5片以上晶圓;
第二階段(2029-2032年)計劃推出可支持 28 nm制程(兼容14nm),采用四反射鏡光學模組,套刻精度提升至5nm,曝光區域擴展至26×0.5毫米,產能提高到每小時50片;
第三階段(2033-2036)將實現亞10nm(sub-10nm)工藝,運用六反射鏡高精度光學系統,套刻精度控制在2nm以內,曝光區域達到26×2毫米,產能突破每小時100片。
整個技術路徑覆蓋65nm至9nm的寬泛制程需求,單位成本預計比ASML的Twinscan系列低30%以上。
和目前我們熟知的EUV光刻機不同,俄羅斯擬研發的EUV系統并未復刻ASML設備的架構,而是計劃采用一整套完全不同的技術方案。
據報道,俄羅斯團隊選擇混合固態激光器、基于氙氣等離子體的光源,以及由釕和鈹(Ru/Be)制成的反射鏡,這類反射鏡可反射 11.2nm波長的光線,而當前全球 EUV 光刻的行業標準波長為 13.5 nm,11.2 nm屬于非標準波長范疇。
此外,與 ASML EUV光刻機使用錫液滴作為光源靶材不同,俄羅斯的方案選用氙氣作為光源材料,可消除損害光掩模的碎屑,從而大幅降低設備維護需求。同時,相較于 ASML DUV光刻機需依賴高壓浸沒式液體與多重曝光技術實現先進制程,該方案通過降低系統復雜度,有效規避了ASML設備因使用錫材料產生的微粒污染問題,顯著降低光掩模維護頻率。同時通過簡化光學結構,省去了高壓浸沒液和多重圖形化工藝,使得整體系統復雜度大幅下降。
盡管俄羅斯的技術方案具有差異化優勢,但項目面臨多重技術挑戰。
首先就是11.2nm波長并非國際半導體行業協會(SEMI)認定的標準EUV波長,這意味著從光源系統到反射鏡鍍膜都需要自主研發。特別是釕鈹反射鏡的制造工藝、適配的光學組件以及專用光刻膠的開發,均存在較高技術壁壘。
此外,該波長光源的能量利用率和穩定性尚未得到行業驗證,可能影響實際生產效率。
從市場定位來看,俄羅斯此次技術攻關并非瞄準臺積電、三星等頭部廠商的尖端工藝競爭,而是聚焦中小型晶圓廠需求——通過規避浸沒式光刻和多重曝光等復雜環節,其設備在潔凈度、維護成本和操作門檻方面具有顯著優勢。這種策略或將開辟新的細分市場,吸引那些被ASML生態圈排斥的新興半導體企業。
若技術研發順利,俄羅斯有望憑借低成本、高性價比的EUV解決方案,在全球芯片供應鏈中占據獨特地位。
總體而言,這份路線圖展現了俄羅斯突破西方技術封鎖的戰略意圖。盡管技術方案存在諸多不確定性,但其創新思維為半導體設備國產化提供了新思路。隨著全球芯片產業鏈重構加速,這種差異化競爭策略或將在未來引發行業格局的深層變革。
]]>根據彭博社當地時間 24 日報道,在先后獲得軟銀、美國政府及英偉達的投資后,陳立武執掌的英特爾并未停下尋求外部支持的腳步,目前正與多家公司接觸,以推動更多外部資金注入及合作項目落地,其中與前大客戶蘋果的談判尤為引人關注。
英特爾已就接受蘋果投資事宜與對方接洽,同時雙方也在探討深化合作的可能,不過消息人士透露,相關談判仍處于早期階段,最終未必能達成正式協議。
從合作方向來看,若英特爾與蘋果后續能推進伙伴關系,大概率將聚焦半導體合同制造領域,考慮到蘋果與臺積電在先進制程上的深度綁定,蘋果更可能成為英特爾先進封裝業務的代工客戶。
回溯雙方過往合作,蘋果曾長期采用英特爾為 Mac 設計的芯片,但自 2020 年起逐步過渡到自研 Apple 硅芯片,轉而依賴臺積電代工;此前雙方還曾合作開發 5G 調制解調器芯片,試圖擺脫對高通技術的依賴,無奈因英特爾未能造出符合蘋果標準的產品,合作最終告吹,英特爾后續也退出調制解調器芯片業務,并將該業務出售給蘋果,這一歷史背景也讓當前合作的具體形態更受關注。
市場普遍認為,蘋果為產品改回使用英特爾芯片的可能性極低,未來即便合作,或也僅涉及部分組件由英特爾制造。
在此之前,英特爾已獲得多筆關鍵投資:今年 8 月,美國政府購入英特爾 9.9% 股份,以加速其在俄亥俄州的制造計劃;此后,英偉達投資 50 億美元用于英特爾 PC 及數據中心芯片業務,日本軟銀也投入 20 億美元。但即便有這些資金支撐,英特爾當前仍面臨多重困境:不僅失去了技術領先地位,市場份額還被AMD等競爭對手侵蝕,更關鍵的是,在人工智能設備熱銷的浪潮中,英特爾未能實現重大突破,該領域目前仍由英偉達占據主導。為扭轉局面,英特爾今年早些時候已宣布裁員 15%,并取消了計劃在歐洲建造的工廠,此次積極接洽包括蘋果在內的企業,也被視作其振興業務的重要舉措。
消息傳出后,資本市場反應分化:當地時間周三,英特爾股價上漲 6.4%,收于 31.22 美元;蘋果股價則微幅下跌,收于 252.31 美元。
對于雙方談判及潛在合作,英特爾發言人拒絕置評,蘋果方面也未作出回應。整體來看,若英特爾與蘋果能達成合作,將成為英特爾轉型努力的重要驗證,但考慮到雙方過往合作的波折、蘋果現有供應鏈布局及英特爾自身的業務挑戰,這一合作的推進仍存在較多不確定性,后續進展值得持續關注。
]]>近期,有關OpenAI進軍AI硬件領域的傳聞持續升溫。據The information最新消息,OpenAI已從蘋果招募眾多工程師,并且同多家中國供應鏈合作伙伴達成合作,其目標是于2026年底推出首款量產設備。
在此之前,AI Pin曾掀起AI硬件熱潮,不過很快因生態問題遭到消費者詬病。如今OpenAI親自涉足硬件領域布局,目標是蘋果等手機廠商主導的消費電子市場。
近日,OpenAI以約65億美元完成對硬件公司iO的收購。這家由多位蘋果前核心工程師創立的企業,其硬件團隊不僅深度承襲了iMac、iPhone等蘋果經典產品的設計基因,更將“技術隱形化”的核心哲學注入產品基因。
所謂“技術隱形化”,即通過技術隱于幕后,讓用戶聚焦于需求本身而非設備操作。這一理念與OpenAI“讓AI自然融入生活”的愿景形成深度呼應,也解釋了為何OpenAI愿意為其近55名硬件工程師、軟件開發人員及制造專家支付遠超市場預期的溢價。
若能成功推出首款硬件產品,OpenAI或將完成從大模型技術服務商,向掌控用戶入口的生態主導者的關鍵轉型。
據The Information報道,OpenAI首款硬件產品的定位暗藏巧思:以“非手機、非眼鏡”的“第三類設備”切入市場。這一選擇既是對Humane 旗下AI Pin失敗的反思,也指向對新興需求的精準卡位。
據悉,相較于AI Pin,OpenAI在硬件設計上提出了三項關鍵改進:其一,取消投影模塊,改為通過手機聯動顯示,這樣可以規避一些顯示技術的落地瓶頸;其二,定價策略更務實——相比AI Pin 高達699美元的售價,新產品將主打“足夠親民”的價格帶;其三,交互能力全面升級,依托ChatGPT領先的上下文感知技術,確保交互體驗處于行業第一梯隊。
因此,這場硬件探索本質上是場以軟件優勢重構硬件規則的實驗。
據報道,為加速AI硬件產品落地,OpenAI選擇與立訊精密、歌爾股份等“果鏈”企業合作。這些廠商憑借在AirPods等產品中積累的微型化制造經驗,恰好能滿足OpenAI首款硬件“體積規格略大于AI Pin”的嚴苛要求。以立訊精密為例,其具備行業領先的快速原型轉化能力,可以在72小時內完成從設計圖紙到功能原型的制作。
值得注意的是,這些供應鏈廠商選擇將硬件生產基地設于越南——此舉既規避了潛在的地緣政治風險,又將關鍵工藝研發、精密零部件制造等核心技術環節保留在中國。這種“技術研發在中國、組裝生產在東南亞”的模式,讓OpenAI既能依托果鏈成熟的量產體系,又能通過產能分散降低供應鏈波動帶來的成本風險。
據行業研究機構測算,越南工廠的人力成本較中國沿海地區低約30%,但良率控制仍高度依賴中國工程師駐場指導。這一現象恰恰印證了全球消費電子供應鏈“離不開中國技術支撐”的現實。
即便OpenAI真能按計劃在2026年推出首款硬件產品,其仍需直面AI硬件領域的多重挑戰。
首當其沖的便是1億臺的出貨目標——按照IDC 2023年的數據,當前全球可穿戴設備年出貨量約為5億臺,若OpenAI目標落地,需占據20%的市場份額。這一比例對新入局者而言難度極高。
一方面,“無屏交互”的用戶習慣培養仍有門檻,用戶長期依賴屏幕獲取信息的習慣難以短期突破;另一方面,手機算力的快速迭代已能支撐部分AI任務本地化處理,進一步削弱了用戶對“額外設備”的需求迫切性。
按照OpenAI的設計思路,依賴手機算力的設計雖能降低初期硬件成本,但其產品定位易被歸為“非必需設備”——當智能手機已能通過自帶的大模型完成基礎AI交互時,用戶為何需要為專用硬件付費?
這正是OpenAI必須向市場證明的核心問題。
此外,OpenAI的長期規劃顯示,其目標在2029年實現250億美元硬件收入(占總營收的1/4),但當前公司仍處于虧損狀態,且盈利預期同樣鎖定在2029年。這種“以虧換量”的策略本質是對數據價值的高度依賴:每臺設備每日產生的環境語音、場景交互數據,是訓練“萬億token上下文大模型”的核心燃料。如今的OpenAI在營收上仍依賴訂閱體系,ChatGPT現有2000萬付費用戶可以為硬件轉化提供了流量池。不過參考AI Pin的教訓,若硬件體驗未達預期,反而可能反噬訂閱業務的用戶信任。
最后還有一個棘手的問題那就是AI硬件的數據合規風險:OpenAI一直強調會長期且多維度收集用戶的交互數據,自然會涉及個人隱私邊界,已明確觸及歐盟《人工智能法案》等全球監管紅線,未來或被迫在數據與合規性之間艱難平衡。
]]>9 月 10 -12 日,SEMI-e 深圳國際半導體展暨 2025 集成電路產業創新展(以下簡稱 SEMI-e 展)首次與中國光博會實現雙展聯動。
本次展會定位 “半導體 + 光電雙生態盛宴” ,集結了超 3000 家優質展商,并與光博會共享 30 萬平方米的展出規模,全方位展示了中國半導體產業,并且更加垂直專業。
在經歷了沉浸式逛展后,筆者真切感受到大灣區在半導體領域布局的全面。
走進展館,最直觀的感受是 “邊界消失”—— 以往半導體展與光電展通常是單獨布展,而這次雙展聯動實現了 “集成電路 + 光電子” 深度交融。例如在硅光技術展臺前,工作人員同步演示著半導體芯片的信號處理能力與光模塊的傳輸效率,兩種技術在同一臺設備上實現無縫協同。
這種融合并非偶然,而是產業發展的必然選擇。
據官方新聞報道,在開幕式上,大聯盟理事長曹健林的致辭點出了核心邏輯:“光電融合已是科技發展大趨勢,雙展聯合就是要破解產業轉型中的‘卡脖子’問題與‘內卷’困境 —— 讓半導體的精密制造能力賦能光電技術,讓光電的高效傳輸特性反哺半導體應用,形成雙向支撐的生態。”
除了現場參展企業以外,數據更能直觀印證 “1+1>2” 的效應:本次展會吸引的專業觀眾中,跨領域采購者占比達 38%,遠超單一半導體展或光電展 15% 的平均水平;產業鏈上下游企業的精準對接效率提升近 50%,不少設備廠商與材料廠商當場敲定聯合研發計劃,瞄準硅光集成、異質集成等此前難以突破的前沿領域。這種 “打破邊界” 的聯動,不僅是展會形式的創新,更是產業協同模式的一次成功試驗。
本次 SEMI-e 展共安排 3 個展館,筆者按照半導體產業鏈逐一逛展,在每一個環節都能看到國產力量從 “補位” 到 “強鏈” 的突破。
芯片設計展區是全場人氣最旺的區域之一,在紫光展銳的展臺前,圍滿了關注 AIoT、汽車電子、消費電子的觀眾。以最新發布的 “智聯芯片方案” 為例 —— 該方案不僅支持多模態 AI 算力,還能兼容車載通信協議,工作人員介紹:“這不是簡單的功能疊加,也是紫光展銳深耕通信半導體二十余年的架構創新成果,現在能為下游客戶提供全棧服務。”
在華大九天展臺,EDA 工具的演示屏幕前擠滿了工程師。作為國內領先的 EDA 提供商,其展出的 “制造端貫通方案” 解決了行業痛點。工作人員介紹道,“以往設計方案到量產要反復調整,耗時耗力,現在用我們的工具能打通設計與制造環節的數據壁壘,直接對接晶圓廠的工藝參數,周期縮短 30% 以上。” 技術人員現場對比演示了傳統流程與新方案的效率差異,直觀的效果讓不少中小設計企業當場表達了合作意向。
除了這幾家頭部企業外,現場展出的產品覆蓋了從消費電子到工業控制、從 AI 計算到汽車電子的多元場景,展現出國產芯片設計近幾年的進步。
走進晶圓制造展區,華虹半導體的 “特色工藝展臺” 格外醒目。其展出的功率器件晶圓采用自主研發的溝槽工藝。武漢新芯則聚焦三維集成技術,現場展示的 “堆疊式存儲芯片” 顛覆了傳統存儲架構 —— 通過將多片晶圓垂直集成,存儲密度提升 4 倍,同時讀寫速度提高 2 倍。
封測環節同樣亮點十足,“集成化” 成為核心方向。例如通富微電的 “高密度封裝生產線” 模型前,觀眾能通過動態演示看到芯片從切割、鍵合到封裝的全流程,其自主研發的 “Chiplet(芯粒)封裝技術” 可實現多顆異構芯片的高效互聯;華進半導體作為國家集成電路封測創新中心,其展出的 “光電合封方案” 更是打破了傳統封測的邊界。
在半導體設備相關展區,國產設備的突破讓人眼前一亮。
北方華創的展臺前,一臺 12 英寸刻蝕機正在進行模擬作業,屏幕上實時顯示著刻蝕精度,引來不少觀眾駐足拍攝。中微半導體則針對第三代半導體材料優化了設備性能,其展出的等離子體刻蝕機專門適配碳化硅、氮化鎵芯片的制造。
筆者在現場注意到,不少國際展商也主動來到國產設備、材料展臺交流。這種國際展商主動對接國產產業鏈的現象,正是國產產業鏈從 “替代” 走向 “引領” 的最佳佐證。
相比擁有 12 個展館的光博會,SEMI-e 展更加垂直專業。
在走完 3 個場館后,筆者最大的感受是:中國半導體產業已經從零散狀態,進入 “全鏈協同” 的新階段。在此基礎上,“光電融合” 為串聯不同產業提供了機會。
雙展聯動的意義,不僅在于打破了展會的邊界,更在于打破了產業的思維定式,讓半導體企業看到了光電技術的應用潛力,讓光電企業找到了半導體技術的支撐路徑,形成了 “1+1>2” 的合力。
未來,當這種 “跨界協同” 成為產業常態,當國產產業鏈的每一個環節都能實現 “自主創新 + 高效聯動”,或許就是中國半導體真正突破瓶頸、邁向全球產業前沿的開始。
]]>隨著國際地緣政治日趨復雜,半導體產業已逐步成長為戰略性新興產業 —— 從上游的半導體原材料、設備供應,到中游的半導體產品制造,再到下游的多元應用,全產業鏈在近幾年均邁入技術迭代加速期。
而在 5G 通信、AI、物聯網、自動駕駛等領域的持續推動下,光電技術與半導體產業鏈的融合不斷深化,其關鍵作用已在越來越多場景中凸顯。
正是在這樣的產業背景下,上周落幕的第 26 屆中國國際光電博覽會(以下簡稱 “光博會”)成為觀察行業動態的重要窗口。
在展會期間,筆者重點探訪了半導體、消費電子領域的參展企業,相較于去年,明顯感覺今年參展企業的實物產品展示更豐富,技術路線的呈現也更具多元化特點。
作為國內光電產業極具影響力的綜合性展會,本屆光博會匯聚了全球 3800 余家企業,聚焦信息通信、精密光學、攝像頭技術及應用、激光制造、紅外紫外、智能傳感、新型顯示及 AR/VR 等八大前沿領域。從 1.6T 光模塊的技術博弈到 AR/VR 光學的沉浸體驗,從精密光學的微觀世界到紅外傳感的廣泛應用,這場盛會不僅集中展示了光電產業的最新成果,更清晰勾勒出行業未來的發展脈絡。
若對比去年光博會的場景,今年光通信領域的展示邏輯已發生明顯轉變:去年,多數企業會在宣傳資料中重點標注 “AI” 關鍵詞 —— 尤其是光模塊、硅光芯片等產品,因本身受益于 AI 浪潮推動的光通信技術升級,產品介紹自然圍繞 AI 展開;
而今年,光通信領域的頭部企業將更多精力放在了實物展示上,CPO(共同封裝光學)方案、1.6T 光模塊等技術產品被置于顯眼位置,就連去年占據 “C 位” 的 800G 光模塊,今年也已基本成為量產型產品,可隨時響應市場批量交付需求。
這一變化背后,是數據中心與 AI 雙賽道驅動下的行業轉型:光模塊行業競爭日趨激烈,市場重心已從 “技術概念” 轉向 “實際應用”,AI 不再是可選的宣傳亮點,而是產品的核心能力底座,這也對企業打通 “技術 - 生產 - 應用” 的產業生態能力提出了更高要求。
更值得關注的是,“光電 + 半導體” 的融合并非局限于光通信領域,而是貫穿了本屆光博會的所有展館。
以 AR 頭顯展示為例,企業不再只呈現整機產品,而是會重點拆解其核心組件。例如“光引擎” ,這款組件的核心功能是實現光電信號轉換與圖像投射,相較于傳統光通信光模塊的元器件,光引擎的集成度更高,對設計、封裝等環節的精度要求也更嚴苛。
隨著這類硅光集成芯片在下游領域的應用日益廣泛,與之配套的半導體材料、半導體設備等環節也隨之被串聯起來 ,這一趨勢為中國半導體產業注入了新的發展動能。
最直觀的體現是:相較于去年光博會,今年展會中國產半導體設備的參展比例明顯更高,這背后正是硅光集成產業鏈完善帶動國產設備配套能力提升的結果。
在消費電子領域,AR/VR 行業的發展節奏仍慢于手機、PC、平板等成熟終端設備,應用生態缺失的問題尚未得到有效解決,這一現狀在今年光博會上依然突出:AR/VR 領域的參展廠商數量不增反降,且多數企業仍聚焦于高刷新率、高分辨率等光學顯示方案的研發與升級,實物產品的展出量相對有限。
但轉機也在悄然出現:盡管參展廠商整體減少,多數參展企業卻顯著增加了AR 眼鏡產品的展示比例。
隨著小米、阿里等大廠相繼入場,AR 眼鏡賽道的熱度持續攀升 ,尤其在 AI 技術的加持下,重量大幅 “瘦身” 的智能眼鏡已突破便攜性瓶頸,找到打通應用端的關鍵入口;更重要的是,硬件層面早已形成成熟的供應鏈體系,為后續規?;瘧玫於嘶A。
對 AR/VR 行業而言,這一變化是對過往發展路徑的調整:此前因應用生態缺失,企業選擇優先升級光學顯示方案,并依托 B 端市場(如工業、醫療等行業)提升品牌營收規模;如今隨著下游應用場景不斷拓展,這些成熟的顯示技術已不再局限于 AR 眼鏡,還被應用到頭盔顯示系統、夜視儀等領域,本屆光博會上也有不少這類跨界應用產品展出。
事實上,光電技術在應用側的爆發遠不止于 AR 眼鏡。
在本次光博會上,無人機、車載光通信設備、內窺成像儀器、激光醫療設備、人形機器人原型機及量子計算相關光學組件等新興產品均獲得更多曝光。
這些產品通過場景化展示,打破了 “技術研發” 與 “實際應用” 之間的壁壘,形成了 “1+1>2” 的產業聚合效應。
除了半導體、消費電子兩大領域,本屆光博會還匯集了智能汽車、安防鏡頭、激光技術、紅外技術、精密光學、攝像頭技術等多個品類,其規模之大和覆蓋領域之廣,令人驚嘆于光電產業的多元化。
在 “攝像頭技術館”,企業集中展示了光學鏡頭、攝像模組及配套產品:從手機攝像頭的高像素升級,到工業相機的精準成像;從安防監控的寬動態范圍優化,到醫療設備的微觀探測能力提升,攝像頭技術正通過持續創新,滿足不同行業的多樣化需求。
而在 “精密光學展加工館”“光學真空鍍膜館” 等主題館,企業則展現了光電產業的 “幕后英雄”:光學材料、光學元件和加工設備,這些看似普通的基礎組件,卻是所有光電產品性能的核心支撐。從藍寶石襯底到碳化硅晶圓,從精密透鏡到真空鍍膜設備,每一個環節的技術突破,都直接決定著終端產品的競爭力,這也彰顯出光電產業鏈的深度與厚度。
就連激光技術、紅外技術等相對傳統的領域,也在本屆展會上呈現出新變化:AI 技術開始深度滲透到激光切割、紅外探測等環節,通過算法優化提升設備的精度與效率,助力行業加快智能化升級進程。
縱覽整個光博會,可以窺見中國光電產業的發展迅速:從 “規模擴張” 轉向 “質量提升”,從 “技術跟跑” 轉向 “原創引領”。在光模塊、精密光學等成熟領域,中國企業已具備與國際巨頭同臺競技的實力;而在 AR/VR等新興領域,中國企業則憑借快速的市場響應能力與持續的創新投入,搶占發展先機。
隨著 5G/6G 建設加速、AI 算力需求爆發、新能源產業升級,光電技術作為信息獲取、傳輸、處理的基礎支撐,其應用場景還將進一步拓展。
未來,行業的核心競爭力將不再局限于單一技術的突破,而是 “技術創新” 與 “場景落地” 的深度融合 —— 這既是本屆光博會傳遞的核心信號,也是中國光電產業實現高質量發展的關鍵方向。
]]>據The Information披露。國內科技巨頭字節跳動,目前正加速布局通用人工智能賽道,其核心人工智能部門Seed正在秘密研發對標谷歌Genie3、Meta V-JEPA 2的"世界模型"。
目前,字節跳動的世界模型項目已進入攻堅階段,該項目由前阿里通義千問核心成員周暢帶隊,依托抖音/TikTok的海量視頻數據與自研EX-4D框架,劍指虛擬世界模擬與機器人訓練等前沿領域。
The Information表示,此次技術布局標志著字節跳動正式加入全球AI巨頭爭奪戰。
何為“世界模型”,簡單來說就是模擬真實環境的物理規律和人類互動方式,未來可用于訓練機器人、自動駕駛系統或構建虛擬世界,被視為通向通用人工智能(AGI)的重要路徑之一,其核心目標是通過深度學習構建可模擬真實物理規律的數字孿生環境。
據介紹,新模型將深度融合抖音日均超10億次視頻流數據,涵蓋人物行為、物體運動、場景交互等多維度動態信息,為訓練提供媲美真實世界的素材庫。值得關注的是,近期開源的EX-4D技術將發揮關鍵作用,這項可將單目視頻轉化為4D多視角場景的創新框架,突破了傳統單幀圖像處理的局限性,為實現時空連續性的環境建模奠定基礎。
在全球AI競賽進入新階段的背景下,字節跳動在AI領域的布局還是相對來說比較“低調”。
就以“世界模型”為例,谷歌Genie3憑借其"分鐘級場景連貫性"和"文本驅動事件修改"功能已搶占先機,其720P分辨率、24幀每秒的生成能力,以及支持物理引擎自主學習的特性,已在游戲開發和機器人訓練領域引發變革。
同樣是“"世界模型”的標桿產品,Meta V-JEPA 2則以獨特的聯合嵌入預測架構實現物理推理能力突破,通過100萬小時視頻訓練構建的預測模型,使機器人動作規劃效率提升至同類產品的30倍。
面對巨頭們的強勢表現,字節跳動的新模型需在保持短視頻數據處理優勢的同時,突破物理仿真與長時程一致性等技術瓶頸。
從戰略層面看,字節跳動的世界模型布局與其核心業務形成深度協同。
目前,抖音/TikTok積累的超20億用戶行為數據,為模型構建了獨特的人物交互訓練集;如果能結合旗下PICO 設備以及其他智能家居生態,那么未來或可構建虛實融合的交互場景,復制其在移動互聯網時代的終端優勢。
此外,Seed部門在整合火山引擎AI團隊后,也能通過世界模型打通廣告推薦、內容生成、智能硬件等業務的底層技術鏈路,展現出打造AI基礎設施的野心。
由此可見,隨著科技巨頭們持續加碼,或許我們能很快見證首個消費級世界模型的誕生。正如IDC分析師Jason Dai所言:"視頻世界的構建需要更強的實時性與因果推理能力,而這正是Meta和谷歌尚未完全解決的難題。"
字節跳動的入場,無疑將為這場競賽注入新的變量。
]]>圖 |微贊創始人兼CEO 周鵬鵬
全民直播的浪潮下,“企業直播” 已成為當下企業數字化轉型的主要方向之一。
在直播間里,我們可以看到企業掌門人們變身 “網紅主播”,也能看到帶貨達人們則在這一領域深耕細作,挖掘著更具價值的客戶群體——作為數字化轉型進程中的關鍵機遇,“線上營銷” 已成為企業必爭的核心渠道,沒有任何一家企業愿意缺席。
而在這場直播熱潮中,不僅入局的企業收獲頗豐,最早一批布局企業直播解決方案的服務商,同樣成為了行業紅利的受益者。
以微贊為例,這家成立于 2015 年的企業,從最初聚焦公眾號論壇工具的開發,憑借持續的創新與深耕,一路突破成長,如今已穩居企業直播領域的 “領跑者” 陣營。
近日,鎂客網針對微贊的發展歷程、業務體系及技術創新等維度展開深度專訪,力求為讀者揭開其成功背后的深層邏輯。
回溯微贊過去十年,一直持續以技術突破與模式創新領跑行業,其每一步布局,都精準踩中了企業直播的發展節點。
2016 年,經過深度市場調研,微贊敏銳捕捉到微信生態內專業化企業直播工具的市場空白?;谶@一洞察,公司精準錨定產品形態,推出標準化直播系統,成功開辟差異化賽道,巧妙避開了早期同質化競爭的紅海。
2017 年至 2019 年,微贊確立 "技術驅動" 戰略方向,斥巨資搭建直播音視頻底層架構,大幅提升產品性能穩定性,布局多行業垂直深耕解決方案,奠定B 端企業直播市場服務地位。
2020 至 2022 年,各行各業掀起數字化轉型浪潮,企業直播市場年復合增長率高達 218%。憑借先發優勢,微贊實現付費客戶翻番,以"CRM+SCRM + 直播中臺 + 電商系統" 四維生態閉環,市場份額成功躋身行業頭部。
如今,面對新零售轉型風口,微贊再次搶先完成產品矩陣戰略升級,創新推出"微贊云選+直播營銷系統方案" 新零售營銷方案,持續領跑企業直播下半場競爭。
不難發現,在把握行業風口的賽道上,微贊始終以獨特的前瞻性占據先機。
截至目前,微贊已覆蓋超100 萬家企業客戶,觸達近 6 億用戶。
面對龐大且需求各異的客戶群體,如何平衡標準化服務與行業個性化需求?微贊的 “標準化 SaaS + 行業化 PaaS” 雙輪驅動模式,給出了極具借鑒價值的答案。
在基礎層面,微贊依托云計算服務商提供的IaaS 資源,搭建起標準化的直播 SaaS 平臺,為各類客戶提供穩定、高效的基礎直播服務;在中間層面,針對教育、醫療、金融等不同垂直領域的特性,微贊精心開發出多行業專屬解決方案,精準滿足各行業的特殊需求;在頂層,微贊為頭部客戶量身打造“需求拆解 - 原型驗證 - MVP 迭代” 的定制化開發服務,深度契合頭部客戶的高端化、個性化需求。
這種模式借鑒了國際成熟的云服務架構理念:通過標準化SaaS 滿足 80% 的共性需求,借助 PaaS 平臺實現 20% 的行業特性靈活配置,既保證了服務的普適性和高效性,又兼顧了行業的特殊性和靈活性。
我們可以參照典型場景,例如在醫療直播領域,微贊通過模塊化封裝實現手術示教系統的快速部署,大幅提升醫療直播的便捷性;在金融領域,其創新性開發合規留痕、實時風控等專用功能模塊,充分滿足金融行業對直播合規性和安全性的嚴格要求。
值得關注的是,微贊對定制化服務采取了“三級篩選機制”:首先通過行業庫匹配已有解決方案,最大程度利用現有資源;其次利用AI 算法評估需求通用性,判斷需求是否具有廣泛適用性;僅當需求覆蓋 3 個以上客戶群體時才啟動定制開發。
這種策略既保證了服務效率,又通過模塊復用有效降低了邊際成本,實現資源最優配置與可持續發展。
“研發投入占比高達近 80%”—— 這組數據背后,是微贊對技術創新的執著堅守,也是其構建行業壁壘的核心密碼。
早在2017 年,當行業普遍選擇輕資產模式時,微贊已前瞻性啟動音視頻底層技術研發戰略。歷經三年攻堅,公司成功構建起多維度核心技術矩陣,形成覆蓋信號采集、云端處理到終端渲染的全鏈路技術閉環,為業務場景提供堅實支撐。
高研發投入的初期并非坦途:研發成本同比激增300%,技術商業化路徑存在不確定性,團隊規模擴張更使管理復雜度陡增。
但持續迭代的技術投入,最終轉化為微贊在企業直播領域的硬核競爭力——通過自研協議,帶寬成本直降 45%;獨創的 AI 畫質增強算法,將移動端直播延遲壓縮至 800ms 以內;虛擬直播系統更能輕松承載千萬級并發訪問。
相較于同期依賴第三方 SDK 的競品,微贊在極端網絡環境下的穩定運行能力,已形成顯著的技術代差。
作為技術能力的集中載體,微贊云PaaS 平臺亦成為公司當前的核心主打產品。該平臺采用模塊化架構設計,創新嵌入業務中臺能力,能直接對接 ERP、CRM 等企業系統,實現用戶數據、商品信息與直播流的實時互通,大幅提升業務協同效率。
據艾瑞咨詢等權威機構報告,微贊已連續多年穩居企業直播第一梯隊,在廣電、醫療、零售等垂直領域的解決方案中,展現出不可替代的差異化優勢。
在企業數字化轉型的浪潮中,“虛實融合與智能化交互” 已被公認為下一代直播技術演進的核心方向。微贊敏銳洞察到,隨著 AIGC、數字孿生等技術的突破性發展,企業直播將徹底擺脫傳統的單向傳播形態,向 “空間計算直播”“元宇宙營銷” 等創新范式加速演進。
但微贊在服務實踐中發現,眾多企業客戶正面臨共性難題——內容生產成本居高不下,價值轉化卻未達預期。一場直播往往需要投入大量人力物力進行內容策劃、產品展示、流程設計及效果呈現,但直播結束后,內容利用率普遍偏低,海量優質素材的價值未能被充分挖掘。
對此,微贊創新構建“AI + 直播全鏈路” 智能化解決方案,通過三大核心模塊系統性釋放內容效能:
在內容生產環節,依托AI 實時轉寫與智能摘要技術,系統可自動生成帶索引的直播回放文件;同時借助視覺識別技術,將直播內容精準切割為產品演示、亮點互動、知識干貨等標準化片段,并自動匹配字幕、標簽及爆款標題,使剪輯效率提升 80%;
在內容運營層面,系統內置“高光劇場”“產品百科” 等多元化內容欄目矩陣,支持多平臺一鍵分發與私域流量深度沉淀,配合豐富互動功能延長用戶停留時長,助力內容二次傳播裂變;
在數據價值閉環方面,所有直播素材自動匯入資產庫,通過用戶行為分析反哺內容迭代優化,并實現“曝光 - 觸達 - 轉化” 全鏈路數據追蹤。
以某美妝品牌的實踐為例,其通過AI 智能剪輯將單場直播內容拆解為 12 個垂直品類短視頻,結合精準投放策略,使次月復購率提升 28%。這套方案直擊傳統直播中內容生產低效、價值挖掘不深、數據資產流失三大痛點,真正實現了 “一次直播,全域長效傳播” 的價值升級。
值得關注的是,基于線上直播技術的賦能,微贊也進一步向實體服務生態延伸,微贊云選應時而出。
據介紹,微贊云選致力于構建“一站式選品-開播-結算-服務”平臺,涵蓋日用百貨、家電數碼、服飾鞋包、美妝護膚等新零售全品類優質供應鏈廠家,現場展示上萬款產品,并配備合作洽談空間、帶貨直播場地等公共資源,定期舉辦直播平臺選品,組織直播平臺與品牌進行1v1資源對接等,多維構筑新零售直播高效選品、直播營銷的新生態。
自2024年11月微贊云選起航以來,受到了來自市場的積極反饋和認可。
目前,微贊云選全國布局總面積超50000㎡,京津冀發展高地北京、千年貿易窗口廣州、中原直播腹地鄭州等9城已經完成選品中心的布局,覆蓋核心城市產業帶。
一方面,微贊公司持續夯實實時音視頻、AI 中臺等底層能力,大力推進直播技術融合創新,全力構建 “主題識別 - 內容生成 - 智能決策-營銷驅動” 的完整直播營銷閉環體系。
另一方面,微贊公司也通過閉環新零售直播產業帶的鏈接需求,將直播營銷效率提升了 300%-500%。
從公眾號論壇工具到企業直播領跑者,微贊的十年成長,既是對行業趨勢的精準把握,也是技術創新與模式迭代的必然結果。
面對AI 時代的新機遇,憑借對技術趨勢的敏銳洞察和扎實的解決方案,微贊正持續引領企業直播行業的創新發展,為企業數字化營銷注入源源不斷的動力。
]]>近日,佳能宣布其位于日本宇都宮市的光刻設備生產基地擴建工程已圓滿收官。這座占地 6.7 萬平方米的新工廠,計劃將于今年 9 月正式投入生產。
據日媒報道,這是自2004年該光刻機工廠落成后,時隔21年的首次擴建。此次投入 500 億日元(約合23.94億人民幣),彰顯了佳能在半導體制造領域的勃勃雄心。此外,在全球 AI 浪潮下,光刻設備市場格局正發生著微妙變動。
我們都知道,在半導體制造流程里,光刻設備處于極為關鍵的位置,其作用是將設計好的電路圖案精準地轉移到硅晶圓上,光刻的精度直接決定了芯片的性能與集成度。
長期以來,ASML在EUV光刻機市場極高的技術壁壘,使其幾乎壟斷了高端光刻設備市場。而佳能、尼康等日系廠商在競爭中逐漸落后于 ASML。
雖然目前佳能在光刻機領域依然只存在中低端市場,不過目前來看,其在生產成本與能耗控制方面,特別適合AI產業催生的半導體需求。
目前,佳能正持續優化傳統深紫外光刻(DUV)設備性能。在原有的生產線上,佳能引入了新一代高精度激光光源技術,使得 193nm 波長曝光能力提升至 8nm 以下制程水平。這一改進顯著增強了 DUV 設備在成熟制程芯片制造中的競爭力。
像驅動 IC、電源管理芯片、MCU、功率器件等 90nm 以上節點的 “成熟制程” 芯片制造,DUV 設備都能發揮重要作用。并且,由于 DUV 設備技術成熟,開發成本相對較低,在全球晶圓代工產能中,成熟制程(28nm 以上)產能比預計在 2023 - 2027 年維持在約 70%,這意味著 DUV 設備在未來相當長的時間內仍有廣闊的市場空間。
另一方面,佳能加速推進自主研發的納米壓印光刻系統(NIL)。
納米壓印光刻技術摒棄了傳統光刻復雜的光學系統,通過物理壓印的方式直接將電路圖案復制到晶圓上,就如同蓋章一般。
這種技術路線優勢明顯,能將傳統光刻工藝的工序步驟減少 40%,在成本控制和能耗效率方面表現卓越。以 ASML 的 EUV 光刻機為例,其單臺售價高達 2 億,維護費每年上千萬,而佳能的納米壓印設備價格僅為其十分之一左右,能耗更是低至 EUV 的 10%。在技術指標上,2023 年佳能推出的 FPA - 1200NZ2C 設備,線寬能夠達到 14nm,足以滿足 5nm 制程芯片的制造需求,并且納米壓印技術理論上能壓出 1nm 線寬,佳能更是計劃下一步將線寬做到 10nm 。目前,三星電子已在 3nm 工藝中對 NIL 技術展開驗證,臺積電也將其列為下一代備選方案,這表明納米壓印技術正逐步獲得行業的認可。
新工廠的投產將極大地擴充佳能的產能。
據報道,預計到 202 年,新工廠年產能將達到 120 臺。結合宇都宮現有基地和阿見工廠,佳能光刻設備的總產能將突破 330 臺。這一數字相較于 2024 年 233 臺的出貨量,增長近 42%,直逼 ASML 當前年產 400 臺的產能規模。
雖然在代表高端芯片制造能力的 EUV 領域,ASML 憑借 92% 的市場份額占據絕對統治地位,但佳能在納米壓印賽道的發力,正在悄然改變市場競爭態勢。據世界半導體貿易統計組織(WSTS)預測,2026 年全球半導體市場規模將達 7607 億美元,其中 AI 芯片相關需求占比將突破 35%。在這個價值千億美元的細分市場中,佳能試圖憑借差異化技術路徑搶占先機。
行業分析師指出,佳能的戰略正在重塑光刻機市場的競爭維度。
短期內,佳能憑借 DUV 設備性價比高的優勢,進一步鞏固在成熟制程市場的份額。從中長期來看,依托納米壓印技術,佳能能夠開辟中低端 AI 芯片制造的新賽道。這種策略既避免了與 ASML 在 EUV 領域的正面沖突,又牢牢抓住了 AI 算力基建爆發帶來的市場機遇。
據 IDC 測算,2025 年全球 AI 服務器出貨量將達 460 萬臺,對應的光刻設備需求缺口超過 1500 臺,這為佳能的技術轉型提供了廣闊的施展空間。
隨著 Chiplet 技術和異構集成趨勢的加速發展,光刻設備的需求不再局限于單一的先進制程,而是朝著多元化解決方案的方向轉變。佳能此時加大在納米壓印領域的投入,恰好趕上 AI 算力基礎設施建設的關鍵窗口期。
]]>隨著人工智能的爆發式增長,半導體行業正面臨集成度與能效比的雙重挑戰。
在"內存墻"的瓶頸下,催生了2.5D/3D堆疊芯片技術的革命浪潮,這種突破二維平面的異構整合方案,通過硅通孔(TSV)與微凸點技術構建三維互聯網絡,將不同組件進行立體封裝。
如今,隨著臺積電CoWoS與英特爾Foveros等代表性工藝相繼量產,2.5D/3D堆疊芯片技術愈發成熟,在3D NAND閃存與AI芯片等領域已陸續開始有產品推出。
有了技術,工具也必不可少,珠海硅芯科技有限公司(以下簡稱“硅芯科技”)自主研發的3Sheng Integration Platform堆疊芯片EDA平臺,是國內為數不多面向2.5D/3D堆疊芯片的EDA設計工具。平臺創新打造“3Sheng Zenith架構設計--3Sheng Ranger物理設計-- 3Sheng Ocean Multi-die測試容錯--3Sheng Volcano分析仿真--3Sheng Stratify 多Chiplet集成驗證”五大中心,打通從系統級架構規劃到芯片堆疊物理實現的全流程協同優化,全流程工具鏈涵蓋先進封裝設計所有關鍵環節。
在近期舉辦的世界半導體大會上,鎂客網有幸采訪到硅芯科技創始人趙毅博士,就公司發展歷程以及行業的理解進行了一次深度交流。
硅芯科技的故事,始于十多年前英國南安普頓大學的實驗室。全球首批針對堆疊芯片的技術研究剛剛起步,而國內對這一領域的認知尚處于空白。作為世界首批開展堆疊芯片設計研究團隊成員,硅芯科技負責人趙毅以十余年的前瞻性探索與技術積累,于2022年,正式成立硅芯科技,創業團隊致力于將實驗室的學術成果轉化為可落地的商業化EDA解決方案,24年首批Chiplet客戶落地,2年內成立上海、北京、無錫研發中心。
2.5D/3D堆疊技術的興起,需要整體流程的高度協同。以采用高帶寬內存(HBM)的系統為例,多層堆疊在帶來性能優勢的同時,也引入了信號干擾、散熱瓶頸等嚴峻挑戰。
硅芯科技負責人對此打了個形象的比方:“先進封裝 EDA 的核心價值在于搭建連接設計、制造與封裝的橋梁,就像建造摩天大樓需要建筑師、結構工程師和住戶的需求緊密結合。”
“3Sheng(三生)”平臺通過標準化接口實現了設計數據與制造數據的實時互通與協同優化,構建“芯粒-中介層-封裝”協同設計體系。
硅芯科技的核心產品“三生”平臺,
命名靈感源自《道德經》“一生二,二生三,三生萬物”。同時有著三方共贏的含義:制造方、應用方與EDA工具提供商三方的密切合作。
這種深度協同能力在堆疊芯片時代至關重要:當一顆芯片需要通過硅中介層(Silicon Interposer)或硅橋(Silicon Bridge)實現數十個裸片(Die)的高密度互連時,傳統 EDA 工具對“信號完整性、電源完整性、熱管理、機械應力及材料兼容性”等關鍵問題的割裂式分析,早已無力應對這種高度耦合的多物理場復雜挑戰。
近期,美國對華EDA禁令的升級意外成為了加速行業變革的“催化劑”。
不僅尖端制程EDA工具被限制,針對先進封裝的技術支持也被切斷——臺積電等國際廠商停止向國內企業提供相關服務。
硅芯科技創始人在采訪中直言:“即便沒有斷供,先進封裝也是全球大勢所趨。英特爾、AMD的CPU、GPU早已采用2.5D技術,其發展路線正快速邁向3D堆疊。但禁令迫使中國企業必須以更快的速度走完這條發展路徑。”
知名分析機構 Yole Développement 預測,2025年全球先進封裝市場規模將達到420億美元,其中3D堆疊技術的占比將超過30%。而國內具備2.5D/3D堆疊封裝能力的封測廠商已有20余家,長電科技、通富微電等行業龍頭紛紛加碼布局。華為等終端廠商的服務器處理器、AI芯片也已全面導入2.5D封裝技術。
與市場繁榮和產業熱情形成鮮明對比的,是國產EDA工具在先進封裝領域的嚴重缺失。國內七八十家EDA公司絕大多數聚焦于傳統2D芯片設計領域。即便少數涉及先進封裝,其產品也多集中在仿真環節。正是這種關鍵工具的缺位,將硅芯科技驟然推至行業“聚光燈”下。成立僅幾年時間,硅芯科技已與國內數十家半導體企業建立深度合作關系,公司常年處于高負荷運轉。
“當前市場需求極其旺盛,”負責人的語氣中透著壓力,“設計公司亟需工具支撐,封測廠亟需工具來適配并優化其先進工藝制程。”這種在先進封裝EDA領域的技術稀缺性與戰略價值,使得硅芯科技在2023年成功入選國家重點研發計劃,被國家層面視為寄予厚望的“破局者”。
設計公司誤以為簡單改造2D芯片設計就能轉向3D,封裝廠商則易以為2.5/3D封裝僅是廠線簡單迭代,這都是脫離現實的誤解。——硅芯科技創始人趙毅
堆疊芯片技術的核心難點不是單一環節的突破,而在于整體性,這需要產業鏈的深度協同與流程重構。
2.5D/3D堆疊技術從本質上要求顛覆協同割裂:設計伊始就必須考量封裝工藝約束,制造環節也需精準對接應用需求。 這種貫穿全鏈條的深度協同,恰恰是產業鏈中的薄弱環節。
圖例 硅中階層的作用
他舉例說明了一個關鍵技術細節:在2.5D芯片中,通過硅中介層橫向互連后,為何仍需額外增加一層封裝基板?“根本原因在于傳統PCB無法實現高密度互連所需的微凸塊(Micro-bump)間距。設想一下,當需要互連的凸點數達到數萬甚至更多時,其微米級的間距遠超出PCB的制造能力極限。封裝基板在此扮演著關鍵角色——它如同一個精密的漏斗,將硅中介層上數以萬計的高密度觸點,重新布線并匯聚至基板底部更稀疏、便于焊接的數百至數千個焊球(BGA)。”
在傳統模式下,設計公司與封裝廠可以不用深度協同,而三維堆疊則將協同挑戰推向了更高維度,如“設計收斂難題”,當數以千計的硅通孔(TSV)或微凸點需要穿越多層堆疊結構進行垂直互連時,信號完整性、電源分配網絡、熱傳導路徑以及機械應力的復雜程度呈指數級上升。
因此,而硅芯科技作為EDA企業在芯片設計與制造端扮演者核心的橋梁作用。
“如果在芯片架構規劃與設計之初未能充分考慮封裝工藝的物理限制,最終的芯片很可能無法實現功能,甚至無法制造,”負責人強調,“這正是我們在‘3Sheng(三生)’平臺中首創集成系統級架構設計的根本動因——在設計源頭就將制造約束與應用需求內嵌其中,實現協同優化。”
然而,現實挑戰依然嚴峻。硅芯科技負責人坦陳:“目前整個產業鏈對先進封裝協同的理解尚處初期階段。封裝廠可能過度依賴設備能力,設計公司尚未掌握2.5D/3D芯片所需的設計方法論變革,甚至專注于局部環節的EDA廠商,若缺乏全流程視角,也難以把握協同設計的精髓。”這種普遍存在的認知鴻溝,迫使硅芯科技主動承擔起產業生態培育者的角色——不僅提供工具,更要指導客戶如何高效應用,甚至協助封測廠優化其工藝參數。“這已遠超單純的商業交易范疇,而是在為整個中國先進封裝產業進行關鍵的知識普及和能力建設。”
站在半導體產業向“后摩爾時代”轉型的關鍵節點,硅芯科技非常明確自己的技術路線。
第一階段的核心任務是攻克“從無到有”的挑戰。當前,大算力芯片對堆疊技術的需求最為迫切,且其高附加值屬性更能支撐初期較高的成本。
以 GPU 為例,采用 2.5D 封裝技術實現 HBM 內存與計算核心的高帶寬互連,性能提升顯著,華為、英偉達的高端產品已驗證此路徑。
而硅芯科技的工具鏈正加速優化適配此類高復雜度場景,其“三生”平臺目前已能夠支持高達 12 層裸片堆疊的全流程協同設計,并將信號完整性仿真誤差控制在5%以內。
中期的車載與射頻芯片市場,則對 EDA 工具的“多場景適應性與可靠性”提出更高要求。硅芯科技負責人解釋道,“隨著先進封裝制造成本持續下降,其普及度有望達到當前系統級封裝的水平,屆時物聯網、可穿戴設備等廣泛領域都將受益。”
真正的技術制高點在于異質融合集成:“未來集成的對象可能不再局限于傳統芯片,而是一個融合了光學器件、電子電路、機械執行單元乃至生物接口的微型智能系統。EDA 的固有邊界將被徹底突破和重新定義。??”
無論技術路徑如何延伸,底層邏輯始終一致:先進封裝的核心價值在于通過“三維空間重構”突破平面集成電路的物理限制,而EDA工具的終極使命,正是為芯片(或系統)在復雜三維空間中找到性能、功耗、面積及可靠性的全局最優解。
在市場缺失2.5D/3D堆疊芯片EDA的背景下,硅芯科技的使命就凸顯了出來。
從英國南安普頓大學的實驗室萌芽,到珠海研發中心的持續深耕,硅芯科技十余年的技術積淀印證了一個關鍵洞察:在半導體產業的劇烈變局中,最核心的競爭力并非孤立的技術點,而在于將前沿技術轉化為系統性產業賦能的能力。
當被問及對行業的期許時,硅芯科技負責人的話語或許道出了產業界共同的心聲:“請給予我們必要的成長時間。國內制造能力已蓄勢待發,應用端需求空前迫切,而先進封裝 EDA 的成熟需要持續的迭代與驗證周期。一旦設計-制造-應用的高效協同閉環構建完成,中國半導體產業便真正掌握了實現換道超車的關鍵籌碼。”
最后,在這場關乎中國半導體產業命運的突圍戰中,每一項工具的突破性迭代,每一次產業鏈協同的深度整合,都在為自主創新的未來書寫著決定性篇章。
]]>近日,美國AI芯片初創公司Groq宣布啟動新一輪融資談判,計劃募集6億美元資金,估值接近60億美元。若交易達成,這距離其2024年8月完成的28億美元估值融資僅過去不到一年時間,創下了硅谷AI芯片賽道有史以來最快的估值增長紀錄。
這家總部位于加州圣克拉拉的科技新貴,由谷歌Tensor處理單元核心團隊成員Jonathan Ross于2016年創立。
彼時正值人工智能算力需求爆發前夜,Ross帶領團隊另辟蹊徑,選擇專注于"語言處理單元(LPU)"的研發。
這種專為AI推理任務設計的芯片架構,從誕生之初就劍指英偉達GPU在實時數據處理領域的統治地位。
與傳統GPU依賴高帶寬內存(HBM)等昂貴組件不同,Groq的LPU芯片通過獨特的軟件定義硬件架構,在能效比與成本控制上實現突破。
其核心技術在于動態調度算法和大規模并行計算單元,能夠高效處理自然語言模型(如ChatGPT)、圖像識別等場景的實時推理需求。
公司最新數據顯示,LPU在特定場景下的推理成本僅為英偉達GPU的十分之一,能效比提升高達300%。
這種技術路徑的選擇在資本市場上獲得熱烈反響。自成立以來,Groq累計融資規模已達16億美元,投資方涵蓋金融巨頭貝萊德、日本電信巨頭KDDI、韓國三星催化基金等重量級機構。值得注意的是,2024年11月的上一輪融資中,全球最大資產管理公司貝萊德首次入局,顯示出主流資本對AI推理芯片賽道的強烈信心。
進入2025年,Groq的商業化進程顯著提速。
4月與Meta達成戰略合作,為其Llama4大模型提供推理加速服務,幫助這家社交巨頭降低云計算基礎設施成本。5月更是斬獲加拿大貝爾公司的獨家合作訂單,為其部署AI驅動的網絡優化系統,劍指運營商級AI市場的龐大需求。
在技術壁壘構建方面,Groq采取"雙軌突圍"策略:一方面通過自主設計芯片繞過高通、AMD等傳統芯片廠商的專利壁壘;另一方面將供應鏈深度綁定北美本土企業,規避地緣政治風險。公司首席技術官透露,其下一代芯片將采用臺積電3納米制程,但核心IP完全自主可控。
這種差異化競爭策略正在引發行業震動。市場研究機構IDC最新報告顯示,全球AI推理芯片市場規模預計將以每年28%的速度增長,到2028年將突破400億美元。面對這片藍海,軟銀斥資60億美元收購的Ampere、特斯拉自研的Dojo芯片、以及國內的地平線、寒武紀等企業都在加速布局。
當然,身為英偉達的挑戰者,Groq面臨著不小的壓力。目前,英偉達正通過推出低價訓練芯片向推理領域滲透,AMD、英特爾等傳統芯片廠商亦在加碼布局。對于Groq而言,如何在保持技術領先的同時擴大市場份額,將是下一階段的關鍵考驗。
]]>2025 年 4 月,新加坡某半導體工廠內,一場緊張的技術切換正在悄然進行。
格創東智的工程師團隊正全神貫注地操作著電腦,他們要在 60 天時間里,完成對這家工廠 CIM 系統的全面替換,將其從國外的 MES、SPC 等系統轉換為格創東智自主研發的國產化系統。
最終,格創東智不僅實現了工廠核心 CIM 系統 100% 國產替代,還大幅降低了系統運維費用,相較于市場平均速度,整整提前了 4 個月。
這一次海外項目,不僅是一次技術的挑戰,也讓業界看到了中國工業智能企業的實力。
近日,鎂客網有幸采訪到了格創東智,深入了解到這家 AI 驅動的工業智能解決方案提供商的發展歷程、核心優勢以及未來規劃。
格創東智的發展歷程可追溯至 2018 年。作為 TCL 戰略孵化的創新企業,自成立之初便聚焦半導體領域核心痛點,致力于攻克 CIM 系統國產化替代這一"卡脖子"難題。
彼時,國內半導體行業高度依賴進口 CIM 系統,存在成本過高、技術受制于人等問題,公司的創立正是瞄準這些行業痛點展開攻關。
2021 至 2023 年是格創東智高速成長階段,公司完成 A 輪、B 輪融資,為技術研發和市場拓展注入強勁動力。
在這段時間內,格創東智自主研發的"東智工業應用智能平臺"成功入選國家級"雙跨"工業互聯網平臺,標志著其技術實力獲國家級認證。
格創東智介紹稱,該平臺具備千萬級設備接入能力,兼容 1100 余種工業協議,是企業數字化轉型構建起堅實的基礎設施。借助該平臺,公司至今已形成從基礎平臺到工業應用的完整數字化產品和解決方案 400 多個,覆蓋 9 大領域、22 個行業。
2024 至 2025 年,公司迎來發展新階段,通過 C 輪融資進一步夯實資本實力,并于 2025 年初升級AI核心技術平臺——章魚智腦AgenticAI平臺,由此開啟全球化布局。
目前,格創東智業務的已拓展至東南亞、中東等新興市場,服務范圍覆蓋半導體全產業鏈及泛半導體領域,市場占有率躍居行業前列。
在談及公司產品優勢時,格創東智表示,在技術能力層面,格創東智展現出三大核心優勢。
首先,依托 TCL 40 年制造業經驗積累,目前已搭建超 3.5 萬個工業機理模型,構建起獨特的行業知識圖譜,這些模型可以精準映射半導體生產規律,為技術創新提供理論支撐。
其次,通過自主研發實現關鍵領域突破,格創東智的工業軟件覆蓋MES/EAP/QMS/FDC/SPC等制造全鏈條,打通數據孤島。在智能裝備方面,AMHS 物流系統可以提升搬運效率,AOI設備可實現 99.9 %缺陷識別精度,AI平臺構建"東智平臺+章魚智腦"雙輪驅動,深度融合機理模型與AI算法,有效提升企業效率。
結合以上信息,我們對格創東智有了全面的了解——在戰略層面,格創東智已形成“AI+工業軟件+智能裝備”三大支柱;而將這三大支柱拆分來看,每個環節都已通過自主研發實現關鍵領域突破。
在工業軟件方面,提供MES、EAP、QMS、FDC、EMS等覆蓋制造執行、設備自動化、質量管理、能碳管理、物流自動化、數字化供應鏈在內的端到端解決方案,打通數據孤島,實現全場景全鏈路透明化;
在智能裝備方面,AMHS物流系統提升半導體工廠搬運效率,AOI設備實現99.9%缺陷識別準確率;
在AI應用實踐層面,格創東智賦能生產工藝優化、設備智控、品質優化等多個場景,例如,在良率管理領域,通過為客戶提供AI+YMS智慧良率管理平臺,將異常定位時間從數小時縮短至分鐘級,減少50%數據分析時間,年減少批量異常800萬元,有效提高綜合效率。
這些創新實踐既驗證了技術能力,也為半導體行業數字化轉型提供了可復制的解決方案。
格創東智的企業使命 “格物智,創興邦”,脫胎于儒家經典《大學》中的 “格物致知”,寄托著公司為中國工業 AI、工業智能領域帶來革新的夢想與愿景。“東智” 二字,既彰顯了企業的東方基因,更承載著將東方智慧融入工業 AI、讓工業更具智慧的追求。
在實際業務中,格創東智以工業 AI 為核心,聚焦制造業效率、良率、成本問題的解決,將使命轉化為推動產業升級的實際行動。2021-2022 年,公司為某全球半導體顯示龍頭企業完成的中國首例半導體智能工廠滿產狀態下 CIM 系統國產化替換,正是這一使命落地的生動注腳。
當時,該客戶收購的工廠面臨特殊挑戰:收購交割時,工廠所有生產系統及數據會被切斷,急需國產工業系統實現無縫銜接。這對生產系統的適配度、響應速度、硬件兼容性都是極大考驗。
格創東智團隊爭分奪秒,歷經 500 天攻堅,完成替換系統開發,反復調整接口制式、優化系統切換標準。最終,不僅實現模組廠產線設備由國產代碼控制,更助力客戶半導體廠實現系統無縫切換。
這一項目不僅保障了客戶生產的順利延續,更為中國半導體產業的國產化進程邁出了關鍵一步。
在半導體領域,格創東智助力 12 吋 Fab 廠客戶部署 MES、EAP、SPC等 CIM 系統,為客戶節約了數億元成本。這些案例都充分體現了格創東智在推動產業升級方面的積極作用,也是 “格物智,創興邦” 使命的生動實踐。
格創東智的長遠目標,不僅是要服務國內企業,更看向了全球賽道。
目前,格創東智已布局中東、東南亞等海外市場,未來全球化戰略的重點方向是持續深耕中東、東南亞市場,服務國際半導體客戶,同時將國產工業軟件、智能裝備與 AI 能力復制到海外工廠。
在技術輸出過程中,針對不同國家的工業標準與本地化需求,格創東智遵循當地數據主權法規確保合規性,并通過與本地合作伙伴共建解決方案實現定制化服務。
這一策略使得公司能夠更好地適應當地市場環境,為客戶提供更加優質、貼心的服務。
此外,公司與德國、美國制造業巨頭等國際企業戰略合作,聯合香港大學培養復合型人才,構建起生態協同優勢。
與國際企業的合作,使得公司能夠學習到先進的技術和管理經驗,同時也能夠將自己的產品和服務推向更廣闊的國際市場。聯合高校培養人才,則為公司的長期發展提供了智力支持,確保公司在技術創新方面能夠保持領先地位。
截至目前,格創東智已累計服務 3 萬家企業,交付 200 余個整廠標桿項目,場景化落地能力顯著。這一成績的取得,充分說明了格創東智的解決方案能夠切實滿足客戶的需求,在實際應用中能夠發揮出良好的效果。
在工業4.0、“雙碳”等政策的驅動下,格創東智前瞻性地布局規劃,在工業智能領域穩步前行。
在技術深化層面,格創東智積極推進工業大小模型在研發設計場景的落地應用,例如在半導體工藝參數優化中,通過持續提升模型性能與精度,為工業生產提供更加精準、高效的技術支持。
在綠色制造領域,格創東智著力拓展“AI+雙碳”應用場景,構建全方位解決方案,助力企業實現碳足跡全流程追蹤與ESG合規管理。隨著“雙碳”目標的深入推進,企業對碳足跡追蹤和 ESG 合規的需求日益增長。格創東智通過將 AI 技術與雙碳場景相結合,為企業提供全方位的解決方案,幫助企業實現可持續發展。
在生態共建方面,聯合頂尖高校深耕“AI +工業”復合型人才培養,同時深度參與行業標準制定,如國際工業互聯網協議標準的編寫工作。通過人才儲備與標準輸出,持續筑牢技術壁壘,推動“中國智造”邁向全球舞臺,提升中國在國際工業領域的話語權與影響力。
總的來說,憑借強大的技術實力、深厚的行業積淀與堅定的使命擔當,格創東智在工業智能賽道不斷突破創新。
相信在未來,格創東智將繼續發揮自身優勢,為中國乃至全球的工業發展做出更大的貢獻,用實際行動踐行 “格物智,創興邦” 的企業使命。
]]>最近,國內半導體產業又傳出好消息。
據清華大學官網介紹,清華大學化學系許華平教授團隊在極紫外(EUV)光刻材料領域取得突破性進展。他們開發出一種基于聚碲氧烷(Polytelluoxane, PTeO)的新型光刻膠體系,為先進半導體制造提供了創新的材料設計范式。相關研究成果于本月16日發表于國際頂級期刊《科學進展》(Science Advances)。
在先進芯片制造方面,EUV光刻機是不得不提的重要組成。而EUV光刻機的核心就是光源。
然而,EUV光源存在反射損耗高、光子利用率低等技術瓶頸,這對光刻膠的吸收效率、反應選擇性和缺陷控制提出了更高要求。
當前,主流的EUV光刻膠多采用化學放大機制或金屬敏化團簇策略提升靈敏度,但普遍存在組分復雜、微觀分布不均、反應擴散效應顯著等問題,導致隨機缺陷難以控制。
如何構建兼具高吸收效率、快速響應特性和優異均一性的理想光刻膠體系,仍是EUV光刻材料領域的核心挑戰。
學術界普遍認為,理想的EUV光刻膠需滿足四大關鍵指標:
①超高EUV吸收系數以降低曝光劑量;
②高效的光能-化學能轉換效率;
③分子級均一的化學組成;
④超小功能基元尺寸(<1nm)。
然而,現有材料體系往往難以兼顧上述性能。
許華平教授團隊基于前期聚碲氧烷研究基礎,創新性地提出"單組元強吸收-主鏈斷裂"協同策略。
通過將高EUV吸收截面的碲元素以Te-O共價鍵形式引入聚合物主鏈,成功構建出具有突破性性能的PTeO光刻膠體系。
據悉,碲的EUV吸收截面高達~10^5 Mbarn,遠超傳統元素及金屬敏化劑,且Te-O鍵解離能與EUV光子能量完美匹配,可實現高效的光致斷鍵反應。
因此,該材料僅需單組份聚合即可形成均一納米結構,在保持分子尺度均一性的同時,將特征尺寸縮小至亞納米級別。
清華大學表示,該研究提出的融合高吸收元素Te?主鏈斷裂機制與材料均一性的光刻膠設計路徑,有望推動下一代EUV 光刻材料的發展,助力先進半導體工藝技術革新?
]]>作為全球光刻機龍頭,荷蘭ASML公司近日正式對外披露了下一代極紫外(EUV)光刻機的研發戰略,宣布已著手研發下一代Hyper NA EUV先進光刻機,為未來十年的芯片產業做準備。
據ASML首席技術官Jos Benschop透露,公司與長期合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)正聯合攻關Hyper NA EUV光刻機項目,核心目標是通過單次曝光實現5nm級電路圖案分辨率。
該技術若成功落地,將直接適配2035年及以后的超先進制程需求,尤其可為人工智能、高性能計算、量子芯片等領域提供關鍵支撐——這些領域對晶體管密度與性能的要求已逼近傳統工藝極限。
對比現有技術節點,ASML當前量產的最先進EUV光刻機(搭載NA 0.55的High NA EUV技術)雖已實現單次曝光8nm分辨率,但這一水平僅能滿足3nm至5nm制程的大規模量產需求;而早期標準NA 0.33 EUV光刻機需通過2-4次曝光才能達到同等分辨率,導致生產效率大幅降低(單次曝光耗時數秒至數十秒,多次曝光使產線吞吐量驟減),且因對位誤差、光刻膠殘留等問題顯著增加了良率風險與制造成本。
Hyper NA EUV的核心突破在于數值孔徑(NA)的跨越式提升。
作為衡量光學系統光線收集與聚焦能力的核心參數,NA值直接決定了光刻機的分辨率極限——NA值越大,系統可捕捉的光線入射角越廣,光線聚焦精度越高,最終投射的電路圖案也就越精細。
行業數據顯示,NA值每提升0.1,理論上可在相同波長下將分辨率提升約30%。目前,ASML主流EUV光刻機采用NA 0.33(對應光源波長13.5nm),2023年量產的High NA EUV已將NA提升至0.55,支撐起3nm制程量產;而Hyper NA的目標是將NA提升至0.7及以上,預計將推動分辨率較High NA EUV再提升30%-40%,從而覆蓋2nm、1.5nm甚至更先進制程節點。
然而,超高NA光學系統的研發面臨多重技術挑戰:更大的數值孔徑要求物鏡直徑顯著增加(可能突破1米量級),鏡面曲率精度需達到納米級(單鏡面誤差控制在0.1nm以內),同時需解決因光線折射導致的像差放大、光源能量利用率下降等難題。蔡司作為全球頂尖光學系統供應商,在高精度鏡頭制造(如太空望遠鏡、半導體光刻鏡頭)領域的技術儲備,成為Hyper NA EUV研發的關鍵支點。
ASML加速推進Hyper NA EUV研發的深層動因,源于半導體行業對"摩爾定律延續性"的集體焦慮。
隨著制程逼近1nm物理極限,單純依靠尺寸微縮提升性能的傳統路徑遭遇瓶頸,"后摩爾時代"的技術路線正轉向三維堆疊、先進封裝等多元方向。但無論選擇何種路徑,先進制程的光刻環節始終是不可替代的核心瓶頸。
市場研究機構Gartner預測,到2030年全球先進制程(7nm及以下)芯片市場規模將突破1萬億美元,其中2nm以下制程的需求占比將從當前的不足5%激增至30%以上。
要滿足這一需求,現有High NA EUV的分辨率上限將很快觸達天花板,Hyper NA EUV的量產時間表已成為臺積電、三星、英特爾等晶圓巨頭及應用材料、東京電子等設備廠商的戰略關注焦點。
]]>在數字時代浪潮與AI技術爆發性增長的背景下,我國芯片自主生產的戰略重要性空前凸顯,同步推動了對透射電鏡等關鍵性高端精密儀器需求的迫切性。透射電鏡作為制約我國工業發展的“卡脖子”技術之一,國產替代意義重大。,國產替代意義重大。
博眾儀器BZ-F200透射電鏡的順利研發與商業化迭代,不僅是中國企業在高端科研儀器領域持續創新的縮影,也是產學研多方協同發力的典范。
本次活動第一篇章,博眾精工董事長呂紹林、行業重要專家及合作院校代表、吳江區政府代表等分別上臺發言,共同解讀透射電鏡國產化背后的戰略意義與協同路徑。
“這條透射電鏡領域創業的路途是異常曲折的,沒有人才、沒有技術、沒有供應鏈,缺乏客戶與資金,困難重重下團隊也曾迷茫。是解決國家‘卡脖子’技術的堅韌信念,讓團隊走到了今天。”呂紹林在開場致辭中強調,在電子顯微鏡這條“長征路”上,博眾儀器已邁出了第一步,前方必然還有無數困難需要克服,希望團隊依然堅持百折不撓、迎難而上的作風,持續在高端透射電鏡領域勇往直前。
科技創新企業的茁壯成長,離不開區域良好的營商環境與有力的政策支持。江蘇省蘇州市吳江區區委書記、區長孫建江在致辭中表示,吳江區委區政府將始終與廣大企業想在一起、站在一起,給予全方位支持。期待吳江區涌現更多如博眾精工一般的“傳奇公司”,共同繪就開放創新、合作共贏的新篇章。
在BZ-F200透射電鏡的研發過程中,國內頂尖專家為關鍵技術攻關提供了智慧引領。全國政協委員、清華大學段文暉教授蒞臨活動現場并致辭。
“從原型機到如今商用產品正式發布,短短兩年時間,博眾儀器實現了產品的快速迭代、性能的顯著提升,充分體現了民企在國產儀器研發方面的獨特優勢。”段文暉強調,博眾儀器高效結合了高等院校、科研機構對儀器的基礎研究,這種深度的產學研合作模式,為我國的高端科研儀器發展闖出了一條新路,具有非常重要的意義。
人才是支撐高水平自立自強的重要力量。蘇州校企協同的創新生態,為博眾儀器突破關鍵核心技術瓶頸注入了強勁科研動能?;顒又?,蘇州大學校長張橋作為博眾儀器重要合作單位代表蒞臨致辭。“在調研過BZ-F200場發射透射電鏡的研發歷程后,其技術壁壘高度、背后體現的‘為民造儀’情懷,以及全鏈條核心零部件的自主化實力,令人感到震撼。”張橋表示,作為戰略合作伙伴,蘇州大學將繼續攜手博眾儀器,全力支持中國科研儀器產業高質量發展。
科技創新和產業創新,是發展新質生產力的基本路徑。發展新質生產力,科技創新和產業創新二者缺一不可,只有實現深度融合才能推動技術革命性突破。
本次活動第二篇章,國產首臺商用200kV場發射透射電鏡—— “BZ-F200”,正式發布。
博眾儀器自主研制的國內首臺商用200kV場發射透射電鏡,突破“從無到有”的技術瓶頸,同步打通產業化落地路徑。
博眾儀器總經理唐愛權為在場嘉賓詳細介紹了該產品的研發歷程。
“經過五年的技術攻關與反復錘煉,從整機產品到每一個關鍵零部件,博眾儀器已把全鏈條核心技術牢牢掌握在自己手中。”唐愛權介紹,隨著BZ-F200 透射電鏡在材料科學、生命科學、半導體等領域的應用,將有效形成新業態、新模式、新動能,成為培育和發展新質生產力的重要引擎。未來,博眾儀器將堅定專注于電子束核心技術,不斷完善產品線,并通過為業內提供電子束技術應用與服務,賦能產業生態建設,為中國高科技自立自強這一時代命題,交出“博眾答卷”。
隨后,博眾儀器技術總監梁晶博士對產品特色功能及亮點進行介紹。
據了解,BZ-F200 透射電鏡主要圍繞集成電路、材料研發以及前沿科學領域,適用于晶格尺度的結構解析、缺陷分析、界面表征以及成分分析等研究。
此前,高端透射電鏡產業長期被國外儀器公司壟斷,核心零部件受到國外技術封鎖。針對這項痛點,博眾儀器陸續實現了熱場電子槍、超高穩定度電源、熱場電子源、精密加工鏡筒、納米級測角臺等核心零部件的自主生產,并在用戶相關設備中得到長期驗證。
“BZ-F200 透射電鏡的發布,標志著中國高端透射電鏡產業終于走過了從圖紙到商業化產品的‘長征路’。我們選擇了一條最艱難的路,堅持自主開發透射電鏡核心技術鏈,希望國內科研儀器應用不再受制于人,并為全球用戶提供更多選擇。”梁晶說。
透射電鏡作為高端科研儀器,是服務重大科研任務、推動前沿基礎研究的重要基石。中國儀器儀表學會分析儀器分會吳愛華秘書長作了題為《我國分析儀器發展態勢分析》的主題報告,與在場嘉賓分享了我國分析儀器的技術現狀,討論了我國分析儀器發展面臨的新機遇及挑戰。
如果將透射電鏡比作材料科學的“眼睛”,那么高分辨成像與電子衍射技術便是這雙眼睛的“瞳孔”?;顒蝇F場,重慶大學教授張大梁作為透射電子顯微領域專家、BZ-F200 透射電鏡產品用戶代表,以《場發射高分辨透射電子顯微鏡與晶態多孔材料結構解析》為題作用戶報告。
“場發射高分辨透射電子顯微鏡作為現代材料研究的核心工具,在復雜晶體結構解析、微區結構表征和納米尺度形貌分析等領域發揮著不可替代的作用。”張大梁表示,微觀結構表征對于理解材料的應用屬性至關重要,以BZ-F200 透射電鏡為代表的電子顯微儀器的進步,將持續推動材料科學的突破。
在當前科技革命與產業變革深度融合的時代背景下,創新型企業主動扛起了技術攻堅的使命,然而,實現產業高質量發展需凝聚多方合力。在活動第三篇章《聚勢·遠航》中,博眾儀器作為技術攻堅核心力量,與蘇州大學分析測試中心、尚水智能等國內高校、產業鏈骨干企業及頭部科研機構達成重要合作。
此次簽約不僅打通了技術創新到規?;瘧玫拈]環路徑,更以企業為紐帶,整合電子光學系統、超高穩定度電源、超精密加工等核心環節資源,圍繞“創新鏈-產業鏈-生態鏈”建立自主可控的產業創新聯合體,推動國產高端電鏡技術標準建立與市場滲透。
此外,本次發布會后特別設置精密制造車間參觀環節,通過展示博眾儀器從電子光學設計到精密加工的全鏈路自主能力,為與會嘉賓生動展示支撐國之重器誕生的“硬核”制造實力與嚴謹工藝。
本次發布會的成功舉辦,不僅掀起了我國高端透射電鏡正式邁入自主可控新篇章,更以"鏡"為媒,開辟了中國創新企業重構產業格局的全新境界:以博眾儀器為代表的創新主體,一方面打通“基礎研究-技術轉化-商業應用”的創新鏈條,另一方面,以市場化機制激活產學研協同效能,將“技術突圍”轉化為“產業優勢”,為發展新質生產力提供關鍵基礎設施支撐。
隨著BZ-F200 透射電鏡在多個行業的深入應用,這場始于技術攻堅的突破,正在演變為撬動多個戰略性新興產業升級的支點,也標志著在高端科研儀器國產化浪潮中,中國創新力量已從被動突圍轉向主動定義,逐步開啟高端制造價值鏈攀升的新征程。
]]>綜合路透社、The Information等媒體報道,OpenAI近期啟動了一項重要戰略調整:將租用谷歌云平臺的張量處理單元(TPU),為其核心產品ChatGPT提供關鍵運算支持。
此舉標志著OpenAI首次在核心業務場景中規?;敕?span class='wp_keywordlink_affiliate'>英偉達芯片,打破了后者長期以來的壟斷地位。
此次合作的核心驅動力體現在兩方面:其一,降低AI推理成本。相較于英偉達GPU,谷歌TPU在特定場景下的能效比更具優勢,尤其在大規模并行計算任務中可顯著降低單位算力成本;其二,分散供應鏈風險。通過引入異構算力架構,OpenAI正逐步降低對微軟云基礎設施的依賴——此前其AI訓練與推理業務高度綁定Azure平臺,而此次技術路線調整既是技術儲備的多元化嘗試,也為未來可能的云服務商切換預留空間。
對于谷歌而言,此次合作具有里程碑意義。過去數年,其自研TPU主要服務于內部AI生態(如BERT、Gemini模型),此次向OpenAI開放標志著TPU正式進軍外部市場。值得注意的是,谷歌已借此成功撬動多個頭部客戶:既有蘋果這類終端巨頭,也有Anthropic(由前OpenAI安全團隊核心成員創立)、Safety Superintelligence等新興AI勢力。OpenAI的加入無疑將為谷歌TPU注入強心劑,尤其是在英偉達GPU仍占市場主導地位的當下。
盡管合作前景廣闊,但雙方仍存在顯著博弈空間。
據The Information披露,谷歌僅向OpenAI開放了中端TPU型號,其最新一代旗艦芯片仍處于禁用狀態。這一限制既源于兩家公司在AI領域的直接競爭關系(如搜索、大模型等),也折射出核心技術廠商在生態壁壘構建中的審慎態度——即便在合作場景下,底層硬件能力的差異化仍是維系競爭優勢的關鍵籌碼。
若谷歌TPU在性能穩定性、成本控制等維度持續驗證其競爭力,中長期看或將對英偉達形成實質性沖擊。當前AI芯片市場呈現"一超多強"格局,而OpenAI的技術選型轉向或將成為打破壟斷的首個標志性事件。值得關注的是,此次合作尚未披露具體技術路徑——TPU將主要用于模型推理還是部分替代訓練環節?其與英偉達GPU的實際效能差距如何?這些問題的答案將直接影響未來市場競爭格局的演變方向。
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