邊減產邊建廠，存儲廠商很矛盾

飽漢不知餓漢饑

對消費者來說，今年無疑是買存儲類產品的好時候，不管是內存還是硬盤，在今年的消費市場中價格都一再下探。讓筆者都產生了“先不著急買，說不定還能再降點”的思考。

價格的崩盤反應了行業的低迷現狀，DRAM芯片以及NANDFlash閃存市場從2022年下半年開始迎來了持續寒冬，截止目前為止都沒有明顯活絡現象，大多品牌只針對訂單需求購貨。

此前，美光、西數、三星等廠商都已經宣布了減產計劃以消化現有庫存。

但在減產的同時，各家存儲廠商卻又在計劃投建新廠擴產，可以說十分矛盾。

DRAM價格止跌，擴產備戰

根據TrendForce集邦咨詢的研究顯示，今年第一季DRAM產業營收約96.6億美元，季減21.2%，已續跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價三大原廠均下跌。

但隨著幾家存儲廠商的減產帶動市場消化庫存，目前PC、智能手機所用的DRAM內存芯片價格已經基本止跌，這也是DRAM市場12個月以來的首次止跌。

結合知名存儲設備制造商威剛董事長陳立白在6月初接受采訪時的發言，他認為DRAM芯片的現貨價格將在本季度觸底，后續可能反彈。

與此同時，當地時間6月22日，美光宣布將在印度投資8.25億美元新建一座芯片組裝和測試工廠，將專注于DRAM和NAND產品的組裝和測試制造，以滿足印度國內和國際市場的需求。

威剛也計劃在印度增建一座工廠，預計投資五、六千萬美元，一年后投產。

筆者分析，現階段的廠商建廠增產應該是預估到了行業的回暖趨勢，新建廠在實際投產時恰好能夠填補回暖后因減產而帶來的產能不足，并吃下大量訂單。

HBM持續火熱，韓國瓜分蛋糕

與美光不同，同為存儲大廠的三星看向了DRAM芯片的細分市場HBM。

HBM是一種高附加值DRAM產品，可實現高帶寬，適用于超級計算機、人工智能加速器等性能要求高的計算系統。與DRAM不同，現階段的HBM市場依舊面臨供不應求的局面。

原因不用多說，AI人工智能引發的算力恐慌讓NVIDIA英偉達的AI計算卡一夜成為科技圈寵兒，而作為其關鍵組件的HBM內存也同樣迎來了需求大漲。其中，英偉達高端GPU H100、A100主采HBM2e、HBM3，HBM內存滲透率接近100%。

TrendForce集邦咨詢預估2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%，至2025年，有望年均增長45%以上。

而現階段全球HBM市場占有率最高的為SK海力士，占比近50%，而根據韓媒《亞洲日報》的消息，占40%份額的三星正在準備批量生產HBM3（16GB和12GB）產品，并計劃于下半年推出較HBM3容量更高性能更強的下一代HBM3P產品。

不出意外的話，HBM市場將主要由韓國企業瓜分。

國產進軍NAND市場，減產止血難紓解

相比于玩家不多的DRAM和HBM，NANDFlash閃存市場就有些困難了。

隨著長江存儲等國產品牌的入局，NAND閃存以及對應的SSD固態硬盤的價格可以說一路走低。

以高性價比迅速占領市場的策略，以及不錯的性能和質保，帶來了不錯的用戶認可度。也讓原本就面臨庫存積壓的國外廠商雪上加霜。

陳立白表示上游原廠供應家數多，造成庫存過多問題非短期可紓解，預料上游原廠虧損情況嚴重，會加大減產行動。

長江存儲首席運營官程衛華也曾表示，得益于智能手機、服務器和個人電腦制造商的需求訂單，全球NAND閃存市場的供需將在今年下半年達到平衡。

同時，筆者也認為受益于AI服務器出貨量的增長，未來在數據中心、企業服務器集群中應用的存儲設備也會讓NAND閃存市場有所受益。

寫在最后

需要注意的是，為了鞏固美國在半導體領域的領導地位。美國商務部針對此前的《CHIPS和科學法案》進行了更新，限制中國與半導體產業供應鏈的聯系。

根據TrendForce集邦咨詢的預估，受到新法案的影響，中國在全球DRAM產能中的份額將同比下降，NAND閃存產能到2025年預計將從31%降到18%。

而受到科技廠商青睞的印度則可能在之后迎來半導體市場需求和規模的快速提升。只是希望各家廠商不要重蹈小米的覆轍了。

本文作者：Visssom，觀點僅代表個人

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