李在镕：三星計劃利用全球首個3納米工藝制造芯片

三星計劃在2021年實現3nm工藝量產。

據外媒報道，三星電子正在考慮用3nm工藝制造芯片，三星實際領導人李在镕在參觀位于京畿道華城的半導體研發中心時，特地探討了圍繞3nm的半導體戰略。

據了解，三星的半導體戰略計劃是采用正在研發中的最新3nm全柵極（GAA）工藝技術來制造尖端芯片，并提供給全球客戶。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。

圍繞GAA，三星電子表示，3nm GAA技術的邏輯面積效率比5nm制造工藝提高35%，功耗降低50%，性能方面則提高約30%。

三星在10nm、7nm及5nm節點的進度都會比臺積電要晚一些，導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經把目標放在了未來的3nm工藝上，預計2021年量產，這個時間點要早于臺積電。

據悉，臺積電原計劃于2023年量產3nm制程的處理器，但是根據臺積電晶圓廠業務高級副總裁JK Wang的最新說法，這個時間節點已經提前一年，將于2022年可似乎3nm工藝的規模量產。規模量產，意味著臺積電已經具備滿足多家客戶、不同產品上市需求的產能和良品率。從量產時間點來看，雖然三星在3nm工藝上要早于臺積電一年，不過最后結果如何，目前依舊不能下定論。

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